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1. (WO2018142239) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/142239    International Application No.:    PCT/IB2018/050416
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Jan 25 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
H01L 21/8242
H01L 27/108
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei
山崎舜平
Title: 半導体装置
Abstract:
要約書 良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 トランジスタを有する半導体装置であって、 トランジスタは、 基板上の第1の導電体と、 第1の導 電体上の第1の絶縁体と、 第1の絶縁体上の酸化物と、 酸化物上の第2の絶縁体と、 第2の絶縁体上 の第2の導電体と、 第2の導電体上の第3の絶縁体と、 第3の絶縁体上の第4の絶縁体と、 第2の絶 縁体の側面、第2の導電体の側面、第3の絶縁体の側面に接して配置された第5の絶縁体と、酸化物、 第1の絶縁体、 第4の絶縁体および第5の絶縁体に接して配置された第6の絶縁体と、 を有し、 第1 の絶縁体と、 第6の絶縁体とは、 酸化物の側周辺領域で接し、 トランジスタは、 チャネル長およびチ ャネル幅が7nm以上70nm以下のサイズにおいて、 -40℃以上85℃以下の環境下で、 動作周 波数が0.5GHz以上であり、データ保持時間が0.5年以上である。