国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018139556) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/139556    International Application No.:    PCT/JP2018/002357
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Jan 26 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/78
H01L 21/8234
H01L 27/06
H01L 27/08
H01L 29/12
H01L 29/861
H01L 29/868
H01L 29/872
Applicants: ROHM CO., LTD.
ローム株式会社
Inventors: SAKAGUCHI, Takui
坂口 拓生
AKETA, Masatoshi
明田 正俊
NAKANO, Yuki
中野 佑紀
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する半導体層と、前記半導体層の前記第1主面の表層部に形成された第1導電型のダイオード領域、前記半導体層の前記第1主面の表層部において前記ダイオード領域の周縁に沿って形成された第2導電型のウェル領域、および、前記ウェル領域の表層部に形成された第1導電型領域を含む単位セルと、ゲート絶縁層を挟んで前記ウェル領域および前記第1導電型領域と対向するゲート電極層と、前記半導体層の前記第1主面の上において前記ダイオード領域および前記第1導電型領域を被覆し、前記ダイオード領域との間でショットキー接合を形成し、かつ、前記第1導電型領域との間でオーミック接合を形成する第1主面電極と、を含む。