WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2018139556) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/139556 国際出願番号: PCT/JP2018/002357
国際公開日: 02.08.2018 国際出願日: 25.01.2018
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/08 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD.[JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
発明者: SAKAGUCHI, Takui; JP
AKETA, Masatoshi; JP
NAKANO, Yuki; JP
代理人: AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
優先権情報:
2017-01160925.01.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN) This semiconductor device comprises: a semiconductor layer that has a first main surface on one side and a second main surface on the other side; a unit cell that comprises a diode region of a first conductivity type, which is formed in a superficial part of the first main surface of the semiconductor layer, a well region of a second conductivity type, which is formed along the peripheral edge of the diode region in the superficial part of the first main surface of the semiconductor layer, and a first conductivity type region, which is formed in a superficial part of the well region; a gate electrode layer that faces the well region and the first conductivity type region, with a gate insulating layer being interposed therebetween; and a first main surface electrode that covers the diode region and the first conductivity type region on the first main surface of the semiconductor layer, while forming a Schottky junction with the diode region and forming an ohmic junction with the first conductivity type region.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une couche semi-conductrice qui a une première surface principale sur un côté et une seconde surface principale sur l'autre côté ; une cellule unitaire qui comprend une région de diode d'un premier type de conductivité, qui est formée dans une partie superficielle de la première surface principale de la couche semi-conductrice, une région de puits d'un second type de conductivité, qui est formée le long du bord périphérique de la région de diode dans la partie superficielle de la première surface principale de la couche semi-conductrice, et une région de premier type de conductivité, qui est formée dans une partie superficielle de la région de puits ; une couche d'électrode de grille qui fait face à la région de puits et à la région de premier type de conductivité, une couche d'isolation de grille étant interposée entre celles-ci ; et une première électrode de surface principale qui recouvre la région de diode et la région de premier type de conductivité sur la première surface principale de la couche semi-conductrice, tout en formant une jonction Schottky avec la région de diode et formant une jonction ohmique avec la région de premier type de conductivité.
(JA) 半導体装置は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する半導体層と、前記半導体層の前記第1主面の表層部に形成された第1導電型のダイオード領域、前記半導体層の前記第1主面の表層部において前記ダイオード領域の周縁に沿って形成された第2導電型のウェル領域、および、前記ウェル領域の表層部に形成された第1導電型領域を含む単位セルと、ゲート絶縁層を挟んで前記ウェル領域および前記第1導電型領域と対向するゲート電極層と、前記半導体層の前記第1主面の上において前記ダイオード領域および前記第1導電型領域を被覆し、前記ダイオード領域との間でショットキー接合を形成し、かつ、前記第1導電型領域との間でオーミック接合を形成する第1主面電極と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)