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1. (WO2018139278) 撮像素子、製造方法、および電子機器
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国際公開番号: WO/2018/139278 国際出願番号: PCT/JP2018/001087
国際公開日: 02.08.2018 国際出願日: 17.01.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 1/11 (2015.01) ,G02B 3/00 (2006.01) ,G02B 5/20 (2006.01) ,G02B 5/22 (2006.01) ,H04N 5/357 (2011.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 27/146][IPC code unknown for G02B 1/11][IPC code unknown for G02B 3][IPC code unknown for G02B 5/20][IPC code unknown for G02B 5/22][IPC code unknown for H04N 5/357][IPC code unknown for H04N 5/369][IPC code unknown for H04N 9/07]
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
大塚 洋一 OOTSUKA Yoichi; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-01431130.01.2017JP
2017-18315025.09.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGE-CAPTURE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子、製造方法、および電子機器
要約:
(EN) The present disclosure relates to an image-capture element, a manufacturing method, and an electronic device for capturing higher quality images. The image-capture element is provided with: a first light absorption film which is formed, in an effective pixel peripheral area surrounding an outer side of an effective pixel area in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, so as to cover a semiconductor substrate; a microlens layer which is disposed over the first light absorption film, and in which a microlens for collecting light for each pixel in the effective pixel area is formed; and a second light absorption film which is disposed over the microlens layer and which is formed in the effective pixel peripheral area. The present technology may be applied in a CMOS image sensor, for example.
(FR) La présente invention concerne un élément de capture d'image, un procédé de fabrication et un dispositif électronique pour capturer des images de qualité supérieure. L'élément de capture d'image comprend : un premier film d'absorption de lumière qui est formé, dans une zone périphérique de pixel efficace entourant un côté extérieur d'une zone de pixel efficace dans laquelle une pluralité de pixels sont agencés dans une matrice, de manière à recouvrir un substrat semiconducteur; une couche de microlentilles qui est disposée sur le premier film d'absorption de lumière, et dans laquelle une microlentille pour collecter la lumière pour chaque pixel dans la zone de pixel efficace est formée; et un second film d'absorption de lumière qui est disposé sur la couche de microlentilles et qui est formé dans la zone périphérique de pixel efficace. La présente technologie peut par exemple être appliquée à un capteur d'image CMOS.
(JA) 本開示は、より高画質な画像を撮像することができるようにする撮像素子、製造方法、および電子機器に関する。 撮像素子は、複数の画素が行列状に配置されている有効画素領域の外側を囲うように設けられている有効画素周辺領域において半導体基板を覆うように成膜される第1の光吸収膜と、その第1の光吸収膜よりも上層に設けられ、有効画素領域において画素ごとに光を集光するマイクロレンズが形成されるマイクロレンズ層と、そのマイクロレンズ層よりも上層に設けられ、有効画素周辺領域において成膜される第2の光吸収膜とを備える。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)