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1. (WO2018139233) 磁気抵抗効果素子デバイスおよび磁気抵抗効果素子装置

Pub. No.:    WO/2018/139233    International Application No.:    PCT/JP2018/000818
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 16 00:59:59 CET 2018
IPC: G01R 33/09
H01L 43/08
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
HOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD.
北陸電気工業株式会社
Inventors: OGOMI Tomokazu
尾込 智和
SHIMOHATA Kenji
下畑 賢司
INOUE Jin
井上 甚
IMAMURA Tetsuji
今村 徹治
YAMAGUCHI Yoshinori
山口 善紀
DAIMON Takashi
大門 貴史
Title: 磁気抵抗効果素子デバイスおよび磁気抵抗効果素子装置
Abstract:
本発明は、磁気抵抗効果素子デバイス(1)において、異方性磁気抵抗効果素子(2)あたりのリセット電圧を小さくすることを目的とする。磁気抵抗効果素子デバイス(1)は、異方性磁気抵抗効果素子(2)と、異方性磁気抵抗効果素子(2)の感磁方向x'および容易磁化方向y'の両方に直交する方向に見て、異方性磁気抵抗効果素子(2)の中心を通り、容易磁化方向y'となす角度が1/2直角以下で容易磁化方向y'から傾斜する方向に延び、感磁方向x'および容易磁化方向y'を含む平面に平行な、導体のリセットライン(3)と、を備える。感磁方向x'および容易磁化方向y'の両方に直交する方向に見て、リセットライン(3)は、異方性磁気抵抗効果素子(2)の全体を覆う幅を有する。