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1. (WO2018138874) 荷電粒子線装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/138874 国際出願番号: PCT/JP2017/002967
国際公開日: 02.08.2018 国際出願日: 27.01.2017
IPC:
H01J 37/22 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
22
管と関連した光学または写真装置
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION[JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者: ABE Chikako; JP
SUGAHARA Hitoshi; JP
代理人: TODA Yuji; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a charged particle beam device with which it is possible to identify, to a high degree of accuracy, repeat patterns generated by a multiple exposure method such as SADP or SAQP. In order to achieve this purpose, there is proposed a charged particle beam device for: irradiating a first position on a sample with a charged particle beam to form an irradiation mark on the sample; after the formation of the irradiation mark, scanning the charged particle beam on a first visual field which includes the first position and which is larger than the irradiation mark, and thereby acquiring a first image; scanning the charged particle beam on a second visual field which includes the first position, which is larger than the irradiation mark, and which is in a different position from the first visual field, thereby acquiring a second image; and synthesizing the first image and the second image so as to overlap the irradiation marks included in the first image and the second image.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à faisceau de particules chargées avec lequel il est possible d'identifier, à un haut degré de précision, des motifs de répétition générés par un procédé d'exposition multiple tel que SADP ou SAQP. Pour atteindre cet objectif, un dispositif à faisceau de particules chargées est proposé pour : irradier une première position sur un échantillon avec un faisceau de particules chargées pour former une marque d'irradiation sur l'échantillon ; après la formation de la marque d'irradiation, balayer le faisceau de particules chargées sur un premier champ visuel qui comprend la première position et qui est plus grand que la marque d'irradiation, et acquérir ainsi une première image ; balayer le faisceau de particules chargées sur un second champ visuel qui comprend la première position, qui est plus grande que la marque d'irradiation, et qui est dans une position différente du premier champ visuel, ce qui permet d'acquérir une seconde image ; et synthétiser la première image et la seconde image de manière à chevaucher les marques d'irradiation comprises dans la première image et la seconde image.
(JA) 本発明は、SADPやSAQPのような複数露光法等で生成された繰り返しパターンの識別を高精度に行う荷電粒子線装置の提供を目的とする。この目的を達成するために、試料上の第1の位置に荷電粒子ビームを照射することによって、試料に照射痕を形成させ、照射痕の形成後、前記第1の位置を含むと共に、前記照射痕より大きな第1の視野に前記荷電粒子ビームを走査することによって第1の画像を取得し、前記第1の位置を含み、前記照射痕より大きな視野であり、且つ前記第1の視野とは異なる位置の第2の視野に前記荷電粒子ビームを走査することによって第2の画像を取得し、前記第1の画像と第2の画像に含まれる照射痕を重ねるように、前記第1の画像と第2の画像を合成する荷電粒子線装置を提案する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)