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1. (WO2018138817) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/138817 国際出願番号: PCT/JP2017/002623
国際公開日: 02.08.2018 国際出願日: 26.01.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者: MURAKAMI Takeshi; JP
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; JP
ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN) The present invention addresses the problem of suppressing, at the time of forming a gate contact region, exposure of a gate conductive film in a unit cell section, said gate conductive film having been covered with an interlayer insulating film. Disclosed is a semiconductor device manufacturing method wherein: a gate conductive film (2a) in contact with a gate oxide film in a unit cell section (11) is formed; gate wiring (3a) in contact with the gate oxide film in a termination region (12) is formed; a first insulating film (103d) is formed on the upper surface of the gate wiring in the termination region; a thermally oxidized film (102d) is formed on the upper surface of the gate conductive film by thermally oxidizing, using the first insulating film as a mask, the upper surface of the gate conductive film in the unit cell section; and second insulating films (102b, 103b) covering the first insulating film and the thermally oxidized film are formed.
(FR) La présente invention aborde le problème de suppression, au moment de la formation d'une région de contact de grille, d'une exposition d'un film conducteur de grille dans une section de cellule unitaire, ledit film conducteur de grille ayant été recouvert d'un film isolant intercouche. L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semiconducteur dans lequel : un film conducteur de grille (2a) en contact avec un film d'oxyde de grille dans une section de cellule unitaire (11) est formé; un câblage de grille (3a) en contact avec le film d'oxyde de grille dans une région de terminaison (12) est formé; un premier film isolant (103d) est formé sur la surface supérieure du câblage de grille dans la région de terminaison; un film thermiquement oxydé (102d) est formé sur la surface supérieure du film conducteur de grille par oxydation thermique, à l'aide du premier film isolant en tant que masque, la surface supérieure du film conducteur de grille dans la section de cellule unitaire; et des seconds films isolants (102b, 103b) recouvrant le premier film isolant et le film thermiquement oxydé sont formés.
(JA) ゲートコンタクト領域を形成する際に、ユニットセル部における層間絶縁膜に覆われるゲート導電膜が露出することを抑制する。半導体装置の製造方法は、ユニットセル部(11)においてゲート酸化膜に接触するゲート導電膜(2a)を形成し、終端領域(12)においてゲート酸化膜に接触するゲート配線(3a)を形成し、終端領域におけるゲート配線の上面に、第1の絶縁膜(103d)を形成し、第1の絶縁膜をマスクとしてユニットセル部におけるゲート導電膜の上面を熱酸化することによって、ゲート導電膜の上面に熱酸化膜(102d)を形成し、第1の絶縁膜および熱酸化膜を覆う第2の絶縁膜(102b、103b)を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)