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1. (WO2018138817) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/138817    International Application No.:    PCT/JP2017/002623
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Jan 27 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
H01L 21/768
H01L 29/12
H01L 29/423
H01L 29/49
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: MURAKAMI Takeshi
村上 剛史
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
ゲートコンタクト領域を形成する際に、ユニットセル部における層間絶縁膜に覆われるゲート導電膜が露出することを抑制する。半導体装置の製造方法は、ユニットセル部(11)においてゲート酸化膜に接触するゲート導電膜(2a)を形成し、終端領域(12)においてゲート酸化膜に接触するゲート配線(3a)を形成し、終端領域におけるゲート配線の上面に、第1の絶縁膜(103d)を形成し、第1の絶縁膜をマスクとしてユニットセル部におけるゲート導電膜の上面を熱酸化することによって、ゲート導電膜の上面に熱酸化膜(102d)を形成し、第1の絶縁膜および熱酸化膜を覆う第2の絶縁膜(102b、103b)を形成する。