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1. (WO2018138783) レーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスク
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国際公開番号: WO/2018/138783 国際出願番号: PCT/JP2017/002399
国際公開日: 02.08.2018 国際出願日: 24.01.2017
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
発明者:
中川 英俊 NAKAGAWA, Hidetoshi; JP
代理人:
河野 英仁 KOHNO, Hideto; JP
河野 登夫 KOHNO, Takao; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) LASER ANNEALING DEVICE, LASER ANNEALING METHOD, AND MASK
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT AU LASER, PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER, ET MASQUE
(JA) レーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスク
要約:
(EN) Provided are a laser annealing device, laser annealing method, and mask which make it possible to reduce display blurriness at a mask-joining boundary. The laser annealing device is equipped with a mask in which a plurality of opening blocks, which include a plurality of openings arranged in the column direction parallel to the scanning direction, are arranged in the row direction which is perpendicular to the scanning direction. The laser annealing device moves the mask and/or substrate in a direction parallel to the scanning direction, and each time the mask and/or substrate move to a prescribed position in the direction perpendicular to the scanning direction, performs processing for irradiating a plurality of prescribed substrate regions with a laser beam through the plurality of openings. Furthermore, at least one pair comprising two adjacent opening blocks is provided in a manner such that the position of the openings in a first opening block which is one block among the pair and the position of the openings in a second opening block which is the other block among the pair are offset in the direction parallel to the scanning direction.
(FR) L’invention concerne un dispositif de recuit au laser, un procédé de recuit au laser, et un masque qui permettent de réduire le flou d’affichage à une limite de jonction de masques. Le dispositif de recuit au laser est équipé d’un masque dans lequel une pluralité de blocs d’ouvertures, lesquels incluent une pluralité d’ouvertures agencées dans la direction des colonnes parallèle à la direction de balayage, sont agencés dans la direction des lignes qui est perpendiculaire à la direction de balayage. Le dispositif de recuit au laser déplace le masque et/ou le substrat dans une direction parallèle à la direction de balayage, et chaque fois que le masque et/ou le substrat se déplacent à une position prédéfinie dans la direction perpendiculaire à la direction de balayage, effectue un traitement pour projeter sur une pluralité de zones prédéfinies de substrat un faisceau laser à travers la pluralité d’ouvertures. En outre, au moins une paire comprenant deux blocs d’ouvertures adjacents est disposée de telle manière que la position des ouvertures dans un premier bloc d’ouvertures qui est un bloc parmi la paire et la position des ouvertures dans un deuxième bloc d’ouvertures qui est l’autre bloc parmi la paire sont décalées dans la direction parallèle à la direction de balayage.
(JA) マスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができるレーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスクを提供する。 レーザーアニール装置は、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクを備え、マスク及び基板の少なくとも一方をスキャン方向と平行な方向に沿って移動させ、複数の開口部を介してレーザー光を基板の複数の所定領域に照射する処理を、マスク及び基板の少なくとも一方をスキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行うレーザーアニール装置であって、隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第1の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第2の開口ブロックの開口部の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)