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1. (WO2018138756) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/138756    International Application No.:    PCT/JP2017/002243
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Jan 25 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 21/322
H01L 29/78
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: MIYAKOSHI, Nobuki
宮腰 宣樹
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基体の第1主面側にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した後、当該ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成するMOS構造形成工程と、層間絶縁膜の上方に、ゲート電極と接続された状態の金属層を形成する金属層形成工程と、金属層を接地電位とした状態で半導体基体に電子線を照射して半導体基体の内部に格子欠陥を生成する電子線照射工程と、金属層を複数の電極に分割する金属層分割工程と、半導体基体を加熱して半導体基体の前記格子欠陥を修復するアニール処理工程とをこの順序で含むことを特徴とする。 本発明のMOSFETによれば、電子線照射工程を実施しない場合よりも寄生内蔵ダイオードリカバリ損失を小さくでき、かつ、電子線照射工程を実施しない場合と同等のVTH特性を有する半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。