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1. (WO2018135492) 半導体基板の処理方法及び半導体基板の処理装置
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国際公開番号: WO/2018/135492 国際出願番号: PCT/JP2018/001025
国際公開日: 26.07.2018 国際出願日: 16.01.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
清田 健司 KIYOTA, Kenji; JP
福岡 哲夫 FUKUOKA, Tetsuo; JP
代理人:
特許業務法人弥生特許事務所 YAYOY PATENT OFFICE; 神奈川県横浜市中区弥生町2丁目15番1号ストークタワー大通り公園3 601号 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058, JP
優先権情報:
2017-00955523.01.2017JP
2017-00958423.01.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND DEVICE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF PERMETTANT DE TRAITER UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の処理方法及び半導体基板の処理装置
要約:
(EN) [Problem] To provide a technique by which it is possible to smooth a protective film when forming the protective film on a surface side (one side) before the step of reducing the thickness of a back surface side (the other side) of a semiconductor wafer on which an integrated circuit chip is formed. [Solution] Provided are: a module 51 that applies a curing agent 11 for peeling on a front surface side of a wafer W; a module 54 that cures the curing agent 11 via irradiation of ultraviolet rays; a module 52 that applies a curing agent 12 for a protective film on top of the curing agent 11; a module 56 that cures the curing agent 12 via irradiation of ultraviolet rays once the front surface of the curing agent has been pressed by a pressing member 14 comprising a glass plate; a device G that subsequently back grinds the wafer W; a module that bonds a dicing tape on the back surface side of the wafer W; and a module that subsequently irradiates laser light on the front surface side of the wafer W to alter the curing agent 11, generating gas, and peeling the curing agents 11, 12 from the wafer W.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une technique selon laquelle il est possible de lisser un film protecteur lors de la formation du film protecteur sur un côté de surface (un côté) avant l'étape de réduction de l'épaisseur d'un côté de surface arrière (l'autre côté) d'une tranche de semi-conducteur sur laquelle un microcircuit intégré est formé. La solution selon l'invention porte sur : un module (51) appliquant un agent de durcissement (11) destiné au pelage d'un côté de surface avant d'une tranche (W) ; un module (54) durcissant l'agent de durcissement (11) par l'intermédiaire d'une exposition à des rayons ultraviolets ; un module (52) appliquant un agent de durcissement (12) destiné à un film protecteur situé sur l'agent de durcissement (11) ; un module (56) durcissant l'agent de durcissement (12) par l'intermédiaire d'une exposition à des rayons ultraviolets une fois que la surface avant de l'agent de durcissement a subi une compression par un élément de compression (14) comprenant une plaque de verre ; un dispositif (G) affûtant ensuite le dos de la tranche (W) ; un module liant une bande de découpage en dés sur le côté de surface arrière de la tranche (W) ; et un module exposant ensuite le côté de surface avant de la tranche (W) à de la lumière laser afin de modifier l'agent de durcissement (11), de générer du gaz et de peler les agents de durcissement (11, 12) de la tranche (W).
(JA) 【課題】集積回路チップが形成された半導体ウエハの裏面側(他面側)の厚さを小さくする工程の前に表面側(一面側)に保護膜を形成するにあたり、保護膜の平坦化を図ることができる技術を提供すること。 【解決手段】ウエハWの表面側に剥離用の硬化剤11を塗布するモジュール51、紫外線の照射により硬化剤11を硬化させるモジュール54、硬化剤11の上に保護膜用の硬化剤12を塗布するモジュール52、次にガラス板からなる押圧部材14により硬化剤の表面を押圧した状態で硬化剤12を紫外線の照射により硬化させるモジュール56、その後ウエハWをバックグラインドする装置G、ウエハWの裏面側にダイシング用テープを接着するモジュール、その後、ウエハWの表面側にレーザー光を照射して硬化剤11を変質させ、気体を発生させて硬化剤11、12をウエハWから剥離するモジュールを備える。
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国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)