国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018135422) 気相成長装置

Pub. No.:    WO/2018/135422    International Application No.:    PCT/JP2018/000767
Publication Date: Fri Jul 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/205
C23C 16/52
H01L 21/66
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
国立大学法人名古屋大学
TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION
大陽日酸株式会社
Inventors: NAGAMATSU Kentaro
永松 謙太郎
HONDA Yoshio
本田 善央
AMANO Hiroshi
天野 浩
TABUCHI Toshiya
田渕 俊也
Title: 気相成長装置
Abstract:
本技術の目的は、半導体層の状態を高い精度でその場観察することのできる気相成長装置を提供することである。気相成長装置(1000)は、サセプター(210)と、反応室(100)と、原料ガス導入口(310)と、ガス排出口(320)と、サセプター(210)に向けて電磁波を照射する発光部(510)と、電磁波を受信する受光部(520)と、を有する。原料ガス導入口(310)とガス排出口(320)とを結ぶ線と、基板(S1)の板面と、がなす角の角度が-20°以上20°以下である。反応室(100)は、サセプター(210)と対面する反応室天板(101)を有する。反応室天板(101)は、貫通孔(101a)を有する。発光部(510)は、電磁波を貫通孔(101a)を通過させてサセプター(210)に向けて照射する。受光部(520)は、貫通孔(101a)を通過した電磁波を受信する。