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1. (WO2018135320) 受光素子、撮像素子、および、撮像装置

Pub. No.:    WO/2018/135320    International Application No.:    PCT/JP2018/000097
Publication Date: Fri Jul 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jan 06 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 27/146
G01C 3/06
G01S 7/481
G01S 17/89
H04N 5/369
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: SANO Takuya
佐野 拓也
Title: 受光素子、撮像素子、および、撮像装置
Abstract:
本技術は、特性を向上させることができるようにする受光素子、撮像素子、および、撮像装置に関する。 受光素子は、オンチップレンズと、配線層と、オンチップレンズと配線層との間に配される半導体層とを備える。半導体層は、第1の電圧が印加される第1の電圧印加部と、第1の電圧とは異なる第2の電圧が印加される第2の電圧印加部と、第1の電圧印加部の周囲に配置される第1の電荷検出部と、第2の電圧印加部の周囲に配置される第2の電荷検出部とを備える。配線層は、第1の電圧を供給する第1の電圧印加配線と、第2の電圧を供給する第2の電圧印加配線と、反射部材とを備える1層を少なくとも有し、反射部材は、平面視において第1の電荷検出部または第2の電荷検出部と重なるように設けられている。本技術は、例えば、測距を行う受光素子に適用することができる。