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1. (WO2018135178) 圧電素子、及び圧電素子を用いた共振子
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国際公開番号: WO/2018/135178 国際出願番号: PCT/JP2017/044319
国際公開日: 26.07.2018 国際出願日: 11.12.2017
IPC:
H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/09 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16
材料の選択
18
圧電または電歪素子用
187
セラミック組成物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
細部
04
圧電または電歪素子のもの
047
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08
圧電または電歪素子
09
電気的入力および機械的出力をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08
圧電または電歪素子
113
機械的入力および電気的出力をもつもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
會田 康弘 AIDA, Yasuhiro; JP
村内 大樹 MURAUCHI, Daiki; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
優先権情報:
2017-00738019.01.2017JP
発明の名称: (EN) PIEZOELECTRIC ELEMENT AND RESONATOR USING PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET RÉSONATEUR UTILISANT UN ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電素子、及び圧電素子を用いた共振子
要約:
(EN) In this multi-morph structure piezoelectric element including two or more AlN piezoelectric films having impurities added thereto, the crystallinity and piezoelectricity of the second or later piezoelectric films are inhibited from deterioration, and improvement of sensitivity or driving force, which is the original purpose of the multi-morph structure, is achieved. The present invention is provided with: a substrate; a lower electrode layer formed on the substrate; an intermediate layer formed on the lower electrode layer; and an upper electrode layer formed on the intermediate layer. The intermediate layer includes a first piezoelectric layer which is formed between the lower electrode layer and the upper electrode layer and which mainly contains aluminum nitride, a first buffer layer which is formed between the first piezoelectric layer and the upper electrode layer and which mainly contains aluminum nitride, a first intermediate electrode layer which is formed between the first buffer layer and the upper electrode layer, and a second piezoelectric layer which is formed between the first intermediate electrode layer and the upper electrode layer.
(FR) L'invention concerne un élément piézoélectrique à structure multi-morphe comprenant au moins deux films piézoélectriques d'AlN ayant des impuretés ajoutées à celui-ci, dans lequel la cristallinité et la piézoélectricité du second ou des films piézoélectriques ultérieurs sont empêchées de se détériorer, et l'amélioration de la sensibilité ou de la force d'entraînement, qui est l'objectif original de la structure multi-morphe, est obtenue. La présente invention comprend : un substrat; une couche d'électrode inférieure formée sur le substrat; une couche intermédiaire formée sur la couche d'électrode inférieure; et une couche d'électrode supérieure formée sur la couche intermédiaire. La couche intermédiaire comprend une première couche piézoélectrique qui est formée entre la couche d'électrode inférieure et la couche d'électrode supérieure et qui contient principalement du nitrure d'aluminium, une première couche tampon qui est formée entre la première couche piézoélectrique et la couche d'électrode supérieure et qui contient principalement du nitrure d'aluminium, une première couche d'électrode intermédiaire qui est formée entre la première couche tampon et la couche d'électrode supérieure, et une seconde couche piézoélectrique qui est formée entre la première couche d'électrode intermédiaire et la couche d'électrode supérieure.
(JA) 不純物が添加されたAlN圧電膜を2層以上備えるマルチモルフ構造圧電素子において、2層目以降の圧電層の結晶性、圧電性の劣化を低減し、本来のマルチモルフ構造の目的である感度あるいは駆動力を向上させる。 基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された中間層と、中間層上に形成された上部電極層と、を備え、中間層は、下部電極層と上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする第1圧電体層と、第1圧電体層と上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする第1バッファ層と、第1バッファ層と上部電極層との間に形成された第1中間電極層と、第1中間電極層と上部電極層との間に形成された第2圧電体層と、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)