国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018135147) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/135147    International Application No.:    PCT/JP2017/042929
Publication Date: Fri Jul 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 30 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
H01L 29/12
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
富士電機株式会社
Inventors: HOSHI, Yasuyuki
星 保幸
KUMADA, Keishirou
熊田 恵志郎
HASHIZUME Yuichi
橋爪 悠一
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
半導体装置は、半導体基板(1)と、第1導電型の第1半導体層(2)と、第2導電型の第2半導体層(3)と、第1導電型の第1半導体領域(4)と、第2導電型の第2半導体領域(5)と、ゲート電極(8)と、第1電極(10)と、ゲート電極パッド(11)とを備える。ゲート電極パッド(11)と深さ方向に対向する第1下部領域は、キャリアの再結合率が、第1電極(10)と深さ方向に対向する第2下部領域より低い。このようにすることで、ソース電極に高電位を印加して、内蔵PNダイオードを駆動する場合に結晶欠陥の発生を抑制できる。