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1. (WO2018135145) ナノ結晶の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/135145 国際出願番号: PCT/JP2017/042884
国際公開日: 26.07.2018 国際出願日: 29.11.2017
IPC:
C23C 22/73 (2006.01) ,C01G 3/02 (2006.01) ,C01G 9/02 (2006.01) ,C01G 23/04 (2006.01) ,C01G 41/02 (2006.01) ,C01G 53/04 (2006.01) ,C23C 22/05 (2006.01) ,C23C 22/78 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
22
表面と反応性液体との反応による金属質材料の化学的表面処理であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの,例.化成被覆(conversioncoatings)金属の不動態化
73
方法に特徴のあるもの
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
3
銅化合物
02
酸化物;水酸化物
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
9
亜鉛化合物
02
酸化物;水酸化物
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
23
チタン化合物
04
酸化物;水酸化物
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
41
タングステン化合物
02
酸化物;水酸化物
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
53
ニッケル化合物
04
酸化物;水酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
22
表面と反応性液体との反応による金属質材料の化学的表面処理であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの,例.化成被覆(conversioncoatings)金属の不動態化
05
水溶液を使用するもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
22
表面と反応性液体との反応による金属質材料の化学的表面処理であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの,例.化成被覆(conversioncoatings)金属の不動態化
78
被覆される材料の前処理
出願人: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.[JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY[JP/JP]; Kita 8-jyo Nishi 5-chome, Kita-ku, Sapporo-shi, Hokkaido 0600808, JP
発明者: ADACHI Shuichiro; JP
KITAGAWA Masaki; JP
WATANABE Seiichi; JP
JEEM Melbert; JP
NISHINO Fumika; JP
TAKAHASHI Yuki; JP
代理人: HASEGAWA Yoshiki; JP
SHIMIZU Yoshinori; JP
HIRANO Hiroyuki; JP
優先権情報:
2017-00706418.01.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING NANOCRYSTALS AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NANOCRISTAUX ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ナノ結晶の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided is a method for producing nanocrystals that makes it possible to easily form nanocrystals containing at least an oxide and/or a hydroxide. The method for producing nanocrystals is provided with a light irradiation step in which the surface of a metal member 100 immersed in water 2 is irradiated with light L, and nanocrystals are formed on the surface of the metal member 100. The metal member 100 comprises a first member containing a first metal and a second member containing a second metal. The standard electrode potential of the first metal is higher than -2.00 V, the standard electrode potential of the second metal is higher than -2.00 V, and the first member and the second member are electrically connected. The nanocrystals contain at least an oxide and/or a hydroxide. The oxide is an oxide of at least one of the first metal and the second metal. The hydroxide is a hydroxide of at least one of the first metal and the second metal.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production de nanocristaux qui permet de former facilement des nanocristaux contenant au moins un oxyde et/ou un hydroxyde. Le procédé de production de nanocristaux est pourvu d'une étape d'irradiation de lumière dans laquelle la surface d'un élément métallique (100) immergé dans de l'eau (2) est irradiée avec de la lumière (L), et des nanocristaux sont formés sur la surface de l'élément métallique (100). L'élément métallique (100) comprend un premier élément contenant un premier métal et un second élément contenant un second métal. Le potentiel d'électrode standard du premier métal est supérieur à -2,00 V, le potentiel d'électrode standard du second métal est supérieur à -2,00 V et le premier élément et le second élément sont électriquement connectés. Les nanocristaux contiennent au moins un oxyde et/ou un hydroxyde. L'oxyde est un oxyde du premier métal et/ou du second métal. L'hydroxyde est un hydroxyde du premier métal et/ou du second métal.
(JA) 酸化物及び水酸化物のうち少なくともいずれか一種を含むナノ結晶を簡便に形成できるナノ結晶の製造方法が提供される。ナノ結晶の製造方法は、水2中に浸された金属部材100の表面に光Lを照射して、ナノ結晶を金属部材100の表面上に形成する光照射工程を備え、金属部材100が、第1金属を含む第1部材と、第2金属を含む第2部材と、を有し、第1金属の標準電極電位が-2.00Vよりも高く、第2金属の標準電極電位が-2.00Vよりも高く、第1部材と第2部材とが電気的に接続されており、上記ナノ結晶が、酸化物及び水酸化物のうち少なくともいずれか一種を含み、酸化物が、第1金属及び第2金属のうち少なくともいずれか一方の酸化物であり、水酸化物が、第1金属及び第2金属のうち少なくともいずれか一方の水酸化物である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)