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1. (WO2018134929) 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/134929 国際出願番号: PCT/JP2017/001617
国際公開日: 26.07.2018 国際出願日: 18.01.2017
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
出願人: TOHOKU UNIVERSITY[JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
発明者: HONJO Hiroaki; JP
ENDOH Tetsuo; JP
IKEDA Shoji; JP
SATO Hideo; JP
OHNO Hideo; JP
代理人: EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF, MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法
要約:
(EN) Provided are a magneto-resistive effect element which has a high thermal stability index Δ and in which the magnetization direction of a recording layer is vertical to a film surface, and a magnetic memory. Magnetic layers of the recording layer of the magneto-resistive effect element are divided into at least two, and these layers are stacked after changing the composition of Fe with respect to the sum total of the atomic fractions of magnetic elements in each of the magnetic layers.
(FR) L'invention concerne un élément à effet magnétorésistif qui présente un indice de stabilité thermique Δ élevé et dans lequel la direction de magnétisation d'une couche d'enregistrement est verticale par rapport à une surface de film, et une mémoire magnétique. Des couches magnétiques de la couche d'enregistrement de l'élément à effet magnétorésistif sont divisées en au moins deux, et ces couches sont empilées après changement de la composition de fer par rapport à la somme totale des fractions atomiques des éléments magnétiques dans chacune des couches magnétiques.
(JA) 記録層の磁化方向が膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子において、高い熱安定性指数Δを有する磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供する。磁気抵抗効果素子の記録層の磁性層を少なくとも2つに分け、各磁性層中の磁性元素の原子分率の総和に対するFeの組成を変えて積層する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)