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1. (WO2018131669) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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国際公開番号: WO/2018/131669 国際出願番号: PCT/JP2018/000553
国際公開日: 19.07.2018 国際出願日: 12.01.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
出願人:
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP
発明者:
生川 智啓 OIKAWA Tomohiro; JP
藤崎 真史 FUJISAKI Masafumi; JP
長峰 高志 NAGAMINE Takashi; JP
高木 大地 TAKAKI Daichi; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
松本 将尚 MATSUMOTO Masanao; JP
宮本 龍 MIYAMOTO Ryu; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
優先権情報:
2017-00503616.01.2017JP
発明の名称: (EN) RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
(JA) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
要約:
(EN) A resist composition which generates an acid upon exposure to light, and the solubility of which in a developer liquid is changed by the action of an acid. This resist composition is characterized by containing a base material component (A), the solubility of which in a developer liquid is changed by the action of an acid, and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure to light. This resist composition is also characterized in that the acid generator component (B) contains two kinds of compounds.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine photosensible qui génère un acide lors de l'exposition à la lumière, et dont la solubilité dans un développeur liquide est modifiée par l'action d'un acide. La composition de résine est caractérisée en ce qu'elle contient un constituant matière de base (A) dont la solubilité dans un développeur liquide est modifiée par l'action d'un acide, et un constituant générateur d'acide (B) qui génère un acide lors de l'exposition à la lumière. Cette composition de résine photosenseible est également caractérisée en ce que le constituant générateur d'acide (B) contient deux types de composés.
(JA) 露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有し、前記酸発生剤成分(B)が、2種の化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)