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1. (WO2018131649) アクティブマトリクス基板、液晶表示パネルおよび液晶表示パネルの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/131649 国際出願番号: PCT/JP2018/000490
国際公開日: 19.07.2018 国際出願日: 11.01.2018
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
内田 歳久 UCHIDA Toshihisa; --
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2017-00487816.01.2017JP
発明の名称: (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ACTIF, PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリクス基板、液晶表示パネルおよび液晶表示パネルの製造方法
要約:
(EN) Provided is an active matrix substrate comprising a substrate, a TFT supported by the substrate, and an inorganic insulating layer covering the TFT. The TFT comprises: a gate electrode provided on the substrate; a gate insulating layer that covers the gate electrode; an oxide semiconductor layer provided on the gate insulating layer; and a source electrode and a drain electrode that are connected to the oxide semiconductor layer. The gate insulating layer includes a first silicon nitride layer and a first silicon oxide layer provided on the first silicon nitride layer. The inorganic insulating layer includes a second silicon oxide layer and a second silicon nitride layer provided on the second silicon oxide layer. The thicknesses of the first silicon nitride layer, the first silicon oxide layer, the second silicon oxide layer, and the second silicon nitride layer are 275 to 400 nm, 20 to 80 nm, 200 to 300 nm, and 100 to 200 nm, respectively.
(FR) L'invention concerne un substrat matriciel actif comprenant un substrat, un TFT supporté par le substrat, et une couche inorganique isolante recouvrant le TFT. Le TFT comprend : une électrode de grille disposée sur le substrat; une couche d'isolation de grille qui recouvre l'électrode de grille; une couche semiconductrice d'oxyde disposée sur la couche d'isolation de grille; et une électrode de source et une électrode de drain qui sont connectées à la couche semiconductrice d'oxyde. La couche d'isolation de grille comprend une première couche de nitrure de silicium et une première couche d'oxyde de silicium disposée sur la première couche de nitrure de silicium. La couche inorganique isolante comprend une seconde couche d'oxyde de silicium et une seconde couche de nitrure de silicium disposée sur la seconde couche d'oxyde de silicium. Les épaisseurs de la première couche de nitrure de silicium, de la première couche d'oxyde de silicium, de la seconde couche d'oxyde de silicium, et de la seconde couche de nitrure de silicium sont respectivement de 275 à 400 nm, de 20 à 80 nm, de 200 à 300 nm, et de 100 à 200 nm, respectivement.
(JA) アクティブマトリクス基板は、基板と、基板に支持されたTFTと、TFTを覆う無機絶縁層とを備える。TFTは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極とを有する。ゲート絶縁層は、第1窒化シリコン層と、第1窒化シリコン層上に設けられた第1酸化シリコン層とを含む。無機絶縁層は、第2酸化シリコン層と、第2酸化シリコン層上に設けられた第2窒化シリコン層とを含む。第1窒化シリコン層、第1酸化シリコン層、第2酸化シリコン層および第2窒化シリコン層の厚さは、それぞれ275nm以上400nm以下、20nm以上80nm以下、200nm以上300nm以下および100nm以上200nm以下である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)