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1. (WO2018131635) 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/131635 国際出願番号: PCT/JP2018/000432
国際公開日: 19.07.2018 国際出願日: 11.01.2018
IPC:
H01Q 3/34 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1333 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
3
空中線または空中線系から放射される電波の指向特性の方向または形を変えるための構成
26
2つ以上の輻射素子の間の励振電力の相対的な位相または振幅を変えるもの;放射開口に加えるエネルギの分布を変えるもの
30
位相を変えるもの
34
電気的な手段によるもの
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333
構造配置
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333
構造配置
1343
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
3
空中線または空中線系から放射される電波の指向特性の方向または形を変えるための構成
44
輻射器と組み合わされた反射,屈折または回折するための装置の電気的または磁気的な特性を変えるもの
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
13
導波管ホーンまたは開口;スロット空中線;漏洩導波管空中線;伝送路に沿って放射を起こす等価構成
20
非共振漏洩導波管または伝送線路空中線;伝送路に沿って放射を起す等価構成
22
導波管や伝送線路の境界壁に軸方向に設けたスロット
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
21
空中線配列または系
06
同一方向に偏波された間隔を置いて配置された個々に励振された空中線単位の配列
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
大類 貴俊 ORUI Takatoshi; --
大竹 忠 OHTAKE Tadashi; --
中村 渉 NAKAMURA Wataru; --
箕浦 潔 MINOURA Kiyoshi; --
紀藤 賢一 KITOH Kenichi; --
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2017-00425413.01.2017JP
発明の名称: (EN) SCANNED ANTENNA AND METHOD OF MANUFACTURING SCANNED ANTENNA
(FR) ANTENNE À BALAYAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ANTENNE À BALAYAGE
(JA) 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法
要約:
(EN) A scanned antenna (1000) comprises: a TFT substrate (101) including a plurality of TFTs and a plurality of patch electrodes (15) supported by a first dielectric substrate (1); a slot substrate (201C) including a slot electrode (55) supported by a second dielectric substrate (51); a liquid crystal layer provided between the TFT substrate and the slot substrate; and a reflecting conductor plate (65) arranged to face the second dielectric substrate across a dielectric layer. The slot electrode (55) includes a plurality of slots (57) arranged to correspond to the plurality of patch electrodes (15). The patch electrodes (15) are connected to the drains of corresponding TFTs. The slot electrodes (55) include a Cu layer (55MC, 55MD), and a lower metal layer (55LC, 55LD) and/or an upper metal layer (55UD). The lower metal layer and/or the upper metal layer reduces the tensile stress of the Cu layer by at least approximately half.
(FR) L'invention concerne une antenne à balayage (1000) comprenant : un substrat TFT (101) comprenant une pluralité de TFT et une pluralité d'électrodes patch (15) supportées par un premier substrat diélectrique (1); un substrat à fentes (201C) comprenant une électrode à fentes (55) supportée par un second substrat diélectrique (51); une couche de cristaux liquides disposée entre le substrat TFT et le substrat à fentes; et une plaque conductrice réfléchissante (65) agencée pour faire face au second substrat diélectrique à travers une couche diélectrique. L'électrode à fentes (55) comprend une pluralité de fentes (57) agencées pour correspondre à la pluralité d'électrodes patch (15). Les électrodes patch (15) sont connectées aux drain des TFT correspondants. Les électrodes à fentes (55) comprennent une couche de Cu (55MC, 55MD), et une couche métallique inférieure (55LC, 55LD) et/ou une couche métallique supérieure (55UD) La couche métallique inférieure et/ou la couche métallique supérieure réduit la contrainte de traction de la couche de Cu d'au moins approximativement la moitié.
(JA) 走査アンテナ(1000)は、第1誘電体基板(1)に支持された複数のTFTおよび複数のパッチ電極(15)を有するTFT基板(101)と、第2誘電体基板(51)に支持されたスロット電極(55)を有するスロット基板(201C)と、TFT基板とスロット基板との間に設けられた液晶層と、記第2誘電体基板に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板(65)とを有する。スロット電極(55)は、複数のパッチ電極(15)に対応して配置された複数のスロット(57)を有し、パッチ電極(15)は、対応するTFTのドレインに接続されており、スロット電極(55)は、Cu層(55MC、55MD)と、下側金属層(55LC、55LD)および/または上側金属層(55UD)とを有し、下側金属層および/または上側金属層は、Cu層が有する引張応力の約半分以上を低減させている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)