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1. (WO2018131562) アミド溶媒を含むレジスト下層膜形成組成物
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国際公開番号: WO/2018/131562 国際出願番号: PCT/JP2018/000189
国際公開日: 19.07.2018 国際出願日: 09.01.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,C08G 12/34 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
12
アルデヒドまたはケトンの,窒素に結合した水素を有する化合物のみとの重縮合体
02
アルデヒドの
26
複素環式化合物との
34
複素環式化合物と非環式または炭素環式化合物との
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
発明者:
▲徳▼永 光 TOKUNAGA Hikaru; JP
濱田 聡志 HAMADA Satoshi; JP
橋本 圭祐 HASHIMOTO Keisuke; JP
坂本 力丸 SAKAMOTO Rikimaru; JP
代理人:
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
優先権情報:
2017-00403313.01.2017JP
2017-14019319.07.2017JP
発明の名称: (EN) AMIDE SOLVENT-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UN SOLVANT AMIDE
(JA) アミド溶媒を含むレジスト下層膜形成組成物
要約:
(EN) Provided are the following: a resist underlayer film-forming composition which exhibits high etching resistance, high heat resistance and good coatability; a resist underlayer film obtained using the resist underlayer film-forming composition and a method for producing same; a method for forming a resist pattern; and a method for producing a semiconductor device. The resist underlayer film-forming composition contains a polymer and, as a solvent, a compound represented by formula (1) (in formula (1), R1, R2 and R3 each denote a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or an alkyl group which has 1-20 carbon atoms and which may be broken by an amide bond, and R1, R2 and R3 may be the same as, or different from, each other, and may bond to each other to form a ring structure). In the present invention, a semiconductor device is produced by: coating this composition on a semiconductor substrate that may have steps and firing so as to form a resist underlayer film; forming a resist film thereupon via an arbitrarily selected inorganic resist underlayer film; forming a resist pattern by irradiation with light or an electron beam and carrying out development; etching the underlayer film or the like using the resist pattern; and then processing the semiconductor substrate using the patterned underlayer film.
(FR) L'invention concerne : une composition filmogène de sous-couche de réserve qui présente une résistance élevée à la gravure, une résistance élevée à la chaleur et une bonne aptitude au revêtement; un film de sous-couche de réserve obtenu en utilisant la composition filmogène de sous-couche de réserve et son procédé de production; un procédé de formation d'un motif de réserve; et un procédé de production d'un dispositif semiconducteur. La composition filmogène de sous-couche de réserve contient un polymère et, en tant que solvant, un composé représenté par la formule (1) (dans la formule (1), R1, R2 et R3 représentant chacun un atome d'hydrogène, un atome d'oxygène, un atome de soufre ou un groupe alkyle qui comporte 1-20 atomes de carbone et qui peut être brisé par une liaison amide, et R1, R2 et R3 peuvent être identiques ou différents les uns des autres, et peuvent se lier l'un à l'autre pour former une structure annulaire). Selon la présente invention, un dispositif semiconducteur est produit par : application de cette composition sur un substrat en semiconducteur qui peut comporter des paliers et cuisson de manière à former un film de sous-couche de réserve; formation d'un film de réserve sur celle-ci par le biais d'un film de sous-couche de réserve inorganique sélectionné arbitrairement; formation d'un motif de réserve par irradiation avec de la lumière ou un faisceau d'électrons et réalisation du développement; gravure du film de sous-couche ou similaire en utilisant le motif de réserve; et ensuite traitement du substrat en semiconducteur en utilisant le film de sous-couche à motifs.
(JA) 高エッチング耐性、高耐熱性と良好な塗布性とを併せ持つレジスト下層膜形成組成物、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及びその製造方法、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。 ポリマーと、溶媒として、式(1)(式(1)中のR、R及びRは各々水素原子、酸素原子、硫黄原子又はアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1~20のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっても良く、互いに結合して環構造を形成しても良い。)で表される化合物を含む、レジスト下層膜形成組成物。当該組成物を、段差を有してもよい半導体基板上に塗布・焼成してレジスト下層膜を形成し、その上に任意選択的に無機レジスト下層膜を介してレジスト膜を形成し、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成し、レジストパターンにより下層膜等をエッチングし、パターン化された下層膜により半導体基板を加工して半導体装置を製造する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)