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1. (WO2018131495) カバー膜形成方法、基材の処理方法及び組成物

Pub. No.:    WO/2018/131495    International Application No.:    PCT/JP2017/047081
Publication Date: Fri Jul 20 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Dec 28 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/312
C09D 7/40
C09D 125/04
C09D 133/00
C09D 133/04
Applicants: JSR CORPORATION
JSR株式会社
Inventors: FURUICHI Kouta
古市 康太
KOMATSU Hiroyuki
小松 裕之
MARUYAMA Ken
丸山 研
NARUOKA Takehiko
成岡 岳彦
Title: カバー膜形成方法、基材の処理方法及び組成物
Abstract:
本発明は、金属原子を含む領域を表層に有する基材を準備する工程と、上記基材の表面に、第1重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程とを備え、上記第1重合体が下記式(1)で表される第1構造単位を有するカバー膜形成方法である。下記式(1)中、Aは、窒素原子を有する1価の有機基である。上記式(1)におけるAは、下記式(i)で表されることが好ましい。下記式(i)中、Qは、単結合又は炭素数1~20の2価の炭化水素基又は炭素数0~20の1価の1級、2級若しくは3級のアミノ基若しくは環員数5~20の1価の窒素含有複素環基で置換された炭素数1~20の2価の炭化水素基である。RBは、炭素数0~20の1価の1級、2級若しくは3級のアミノ基又は環員数5~20の1価の窒素含有複素環基である。