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1. (WO2018131310) 電力用半導体装置及び電力用半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/131310    International Application No.:    PCT/JP2017/043029
Publication Date: Fri Jul 20 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 01 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 25/07
H01L 23/28
H01L 25/18
H05K 3/34
H05K 13/04
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: BESSHI, Noriyuki
別芝 範之
ISHII, Ryuichi
石井 隆一
FUKU, Masaru
福 優
FUKUHARA, Kazuya
福原 和矢
Title: 電力用半導体装置及び電力用半導体装置の製造方法
Abstract:
電力用半導体装置は、制御端子を有する複数のパワーモジュールと、複数のパワーモジュールが実装される放熱板と、制御端子が固着される制御用基板とを有し、複数のパワーモジュールは、制御端子に近い第1突起部と、制御端子から遠い第2突起部とを有し、放熱板は、第1突起部に対応する位置に、第1突起部と係合し、第1突起部の外径よりも大きい内径に形成された第1の凹部を有し、第2突起部に対応する位置に、第2突起部と係合し、第2突起部の外径よりも大きい短径を有して長穴状に形成された第2の凹部を有する。