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1. (WO2018131060) 太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/131060 国際出願番号: PCT/JP2017/000401
国際公開日: 19.07.2018 国際出願日: 10.01.2017
IPC:
H01L 31/068 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
出願人: TOHOKU UNIVERSITY[JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-city Miyagi 9808577, JP
発明者: Sugawa, Shigetoshi; JP
Kuroda, Rihito; JP
代理人: Fujimoto, Kenji; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池
要約:
(EN) [Problem] To provide a solar cell which is not affected or is substantially not easily affected by the irradiation history of UV light, and thus does not or substantially does not suffer degradation of service life. [Solution] The present invention provides a solar cell in which a UV degradation preventing layer under specific conditions is provided as a layer component. The UV degradation preventing layer has a layer thickness (d1+d2) in the range of 2-60 nm and contains semiconductor impurities, which contribute to semiconductor polarity, such that there is a semiconductor impurity concentration distribution in the thickness direction of the layer, and a maximum value (CDMax) of the concentration distribution in the layer. The maximum value (CDMax) is in the range satisfying equation (1) below, (1) 1x1019/cm3 ≤ maximum value (CDMax) ≤ 4x1020/cm3, the position of the half value (b1) of the maximum value (CDMax) is at a depth position (A1) from the surface on the light incidence side of the UV degradation preventing layer, and the depth position (A1) is in the range satisfying equation (3) below, (3) depth position (A0) of the maximum value (CDMax) < ("depth position (A1)") ≤ 20 nm.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une cellule solaire qui n'est pas affectée ou qui n'est sensiblement pas affectée facilement par les antécédents d'exposition à un rayonnement lumineux UV, et qui ne subit donc pas ou sensiblement pas de dégradation de la durée de vie. La solution selon l'invention porte sur une cellule solaire dans laquelle une couche de prévention de dégradation aux UV dans des conditions spécifiques est fournie en tant que composant de couche. La couche anti-dégradation aux UV a une épaisseur de couche (d1 + d2) dans la plage de 2 à 60 nm et contient des impuretés semiconductrices, qui contribuent à la polarité de semiconducteur, de telle sorte qu'il y a une distribution de concentration d'impuretés de semiconducteur dans la direction de l'épaisseur de la couche, et une valeur maximale (CDMax) de la distribution de concentration dans la couche. La valeur maximale (CDMax) est dans la plage satisfaisant l'équation (1) ci-dessous, (1) 1x1019/cm3 ≤ valeur maximale (CDMax) ≤ 4x1020/cm3, la position de la demi-valeur (b1) de la valeur maximale (CDMax) est à une position de profondeur (A1) à partir de la surface sur le côté d'incidence de lumière de la couche de prévention de dégradation aux UV, et la position de profondeur (A1) est dans la plage satisfaisant l'équation (3) ci-dessous, (3) la position de profondeur (A0) de la valeur maximale (CDMax) < ("position de profondeur (A1)") ≤ 20 nm.
(JA) 【課題】課題の一つは、UV光の照射履歴の影響を受けないか実質的に影響を受けにくく、使用寿命の劣化がないか実質的に劣化がない太陽電池を提供することである。 【解決手段】特定条件下にあるUV劣化防止層を層構成要素の一つとして設けた太陽電池である。UV劣化防止層は、半導体極性に寄与する半導体不純物がその層厚方向に濃度分布し且つその内部に濃度分布の極大値(CMax)を有するように含有されており、その層厚(d1+d2)が2~60nmの範囲にあり、極大値(CMax)は以下の範囲にあり、 1x1019個/cm3 ≦ 極大値(CMax)≦ 4x1020個/cm3 ・・・式(1) 極大値(CMax)の半減値(b1)の位置がUV劣化防止層の光入射側の表面からの深さ位置(A1)にあり、その深さ位置(A1)が、 極大値(CMax)の深さ位置(A0)<(「深さ位置(A1)」)≦ 20nm・・・式(3) の範囲にある。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)