このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018130954) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/130954 国際出願番号: PCT/IB2018/050160
国際公開日: 19.07.2018 国際出願日: 11.01.2018
IPC:
G09G 3/36 (2006.01) ,G02F 1/133 (2006.01) ,G09G 3/20 (2006.01) ,G09G 3/30 (2006.01) ,G09G 3/3258 (2016.01) ,G11C 19/28 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
G
静的手段を用いて可変情報を表示する表示装置の制御のための装置または回路
3
陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路
20
マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの
34
独立の光源よりの光の制御によるもの
36
液晶を用いるもの
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
G
静的手段を用いて可変情報を表示する表示装置の制御のための装置または回路
3
陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路
20
マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
G
静的手段を用いて可変情報を表示する表示装置の制御のための装置または回路
3
陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路
20
マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの
22
制御された光源を用いるもの
30
エレクトロルミネッセントパネルを用いるもの
[IPC code unknown for G09G 3/3258]
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
19
情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置,例.シフト・レジスター
28
半導体素子を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
出願人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase Atsugi-Shi, Kanagawa 2430036, JP
発明者:
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
優先権情報:
2017-00487116.01.2017JP
2017-00487216.01.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) Provided is a novel semiconductor device. The semiconductor device has a function whereby the pixel selection intervals are changed according to the distance from a drive circuit. Specifically, if the distance between a first pixel and the drive circuit is longer than the distance between a second pixel and the drive circuit, the pulse width of the selection signals supplied to the first pixel is set so as to be greater than the pulse width of the selection signals supplied to the second pixel. As a result, it is possible accurately write image signals to pixels provided at positions far from the drive circuit while also maintaining a short selection interval for pixels provided at positions close to the drive circuit.
(FR) L’invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteurs. Une fonction du dispositif à semi-conducteurs permet de changer les intervalles de sélection de pixel en fonction de la distance à un circuit d'attaque. En particulier, si la distance entre un premier pixel et le circuit d'attaque est supérieure à la distance entre un second pixel et le circuit d'attaque, la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au premier pixel est réglée de manière à être supérieure à la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au second pixel. Par conséquent, il est possible d'écrire avec précision des signaux d'image sur des pixels disposés à des positions éloignées du circuit d'attaque tout en maintenant un intervalle de sélection court pour des pixels disposés à des positions proches du circuit d'attaque.
(JA) 新規な半導体装置の提供。 半導体装置が、画素の選択期間を、駆動回路からの距離に応じて変化させる機能を有する。具体的には、第1の画素と駆動回路の距離が、第2の画素と駆動回路の距離よりも長い場合に、第1の画素に供給される選択信号のパルス幅が、第2の画素に供給される選択信号のパルス幅よりも大きく設定される。これにより、駆動回路から近い位置に設けられた画素の選択期間を短く維持しつつ、駆動回路から遠い位置に設けられた画素への映像信号の書き込みを正確に行うことができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)