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1. (WO2018130929) 半導体装置及びその動作方法、電子部品、並びに電子機器
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国際公開番号: WO/2018/130929 国際出願番号: PCT/IB2018/050115
国際公開日: 19.07.2018 国際出願日: 09.01.2018
IPC:
G11C 5/14 (2006.01) ,G06F 12/00 (2006.01) ,G11C 14/00 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
5
11/00に分類される記憶装置の細部
14
電力供給装置
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
14
電源遮断時にバックアップするための,揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置
出願人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
発明者:
石津貴彦 ISHIZU, Takahiko; JP
齋藤利彦 SAITO, Toshihiko; JP
優先権情報:
2017-00157510.01.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR OPERATING SAME, ELECTRONIC COMPONENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置及びその動作方法、電子部品、並びに電子機器
要約:
(EN) The present invention efficiently reduces the power consumption of a semiconductor device. The semiconductor device comprises a power supply management device, a cell array, and a peripheral circuit for driving the cell array. The cell array includes a word line, a bit line pair, a memory cell, and a backup circuit for backing up the data in the memory cell. Row and column circuits are provided in a first power domain capable of power-gating and the cell array is provided in a second power domain capable of power-gating. The operation mode for a storage device may be set to any of a plurality of low power consumption modes having lower power consumption than a stand-by mode. The power supply management device selects one of the plurality of low power consumption modes and controls the transition of the mode for the storage device to the selected low power consumption mode.
(FR) La présente invention réduit efficacement la consommation électrique d'un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend un dispositif de gestion d'alimentation électrique, un réseau de cellules et un circuit périphérique permettant de commander le réseau de cellules. Le réseau de cellules comprend une ligne de mots, une paire de lignes de bits, une cellule de mémoire et un circuit de sauvegarde permettant de sauvegarder les données dans la cellule de mémoire. Des circuits de rangée et de colonne sont disposés dans un premier domaine d'alimentation capable de portillonnage d'alimentation et le réseau de cellules est disposé dans un second domaine d'alimentation capable de portillonnage d'alimentation. Le mode de fonctionnement pour un dispositif de stockage peut être réglé à n'importe lequel parmi une pluralité de modes de faible consommation électrique comportant une consommation électrique inférieure à un mode de veille. Le dispositif de gestion d'alimentation électrique sélectionne un mode parmi la pluralité de modes de faible consommation électrique et commande la transition du mode pour le dispositif de stockage vers le mode de faible consommation électrique sélectionné.
(JA) 要約書 半導体装置の消費電力を効率良く低減する。 半導体装置は電源管理装置、セルアレイ、並びにセルアレイを駆動するための周辺回路を有する。セ ルアレイはワード線、ビット線対、メモリセル、メモリセルのデータをバックアップするバックアッ プ回路を有する。行回路および列回路はパワーゲーティング可能な第1パワードメインに設けられ、 セルアレイはパワーゲーティング可能な第2パワードメインに設けられている。記憶装置の動作モー ドには、スタンバイモードよりも消費電力が低い複数の低消費電力モードが設定されている。電源管 理装置は、複数の低消費電力モードから1を選択し、選択した低消費電力モードに記憶装置が移行す るための制御を行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)