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1. (WO2018128193) 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/128193    International Application No.:    PCT/JP2018/000107
Publication Date: Fri Jul 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jan 06 00:59:59 CET 2018
IPC: C01B 21/064
B32B 9/00
C23C 16/38
H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国立研究開発法人科学技術振興機構
Inventors: AGO Hiroki
吾郷 浩樹
KAWAHARA Kenji
河原 憲治
UCHIDA Yuki
内田 勇気
NAKANDAKARI Sho
仲村渠 翔
TANAKA Daichi
田中 大地
Title: 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法
Abstract:
本発明は、大面積で、1nm以上の均一な厚さを有し、かつグレインバンダリーの少ない六方晶窒化ホウ素薄膜を安価に製造することができる、エレクトロニクスへの応用などの工業的な利用に適した新規な六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法と六方晶窒化ホウ素薄膜を提供する。本発明の六方晶窒化ホウ素薄膜は、厚さが1nm以上であり、ラマンスペクトルにより得られるE2gピークの半値幅の平均値が9~20cm-1であることを特徴とする。