このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018128079) ドライエッチング方法及びβ-ジケトン充填済み容器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/128079 国際出願番号: PCT/JP2017/045709
国際公開日: 12.07.2018 国際出願日: 20.12.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,C23F 1/12 (2006.01) ,C23F 4/00 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
12
ガス状組成物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
4
グループ1/00または3/00に分類されない,表面から金属質材料を除去するための方法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
発明者:
山内 邦裕 YAMAUCHI, Kunihiro; JP
増田 隆司 MASUDA, Takashi; JP
八尾 章史 YAO, Akifumi; JP
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji; JP
優先権情報:
2017-00014304.01.2017JP
発明の名称: (EN) DRY ETCHING METHOD AND β-DIKETONE-FILLED CONTAINER
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE ET CONTENANT REMPLI DE β-DICÉTONE
(JA) ドライエッチング方法及びβ-ジケトン充填済み容器
要約:
(EN) A dry etching method for etching a metal film on a substrate using an etching gas containing an additive gas and a β-diketone, said method characterized in that the metal film includes a metal element capable of forming a complex with the β-diketone, and the amount of water included in the etching gas is 30 ppm by mass or less with respect to the β-diketone. Furthermore, the β-diketone to be used for the dry etching is preferably supplied from a β-diketone-filled airtight container, which is obtained by filling an airtight container with β-diketone, wherein the water content in the airtight container is 15 ppm by weight with respect to the β-diketone. This method makes it possible to etch a metal film while suppressing variations in etching speed, from the initial use to the final use of the filled container.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure sèche permettant de graver un film métallique sur un substrat à l'aide d'un gaz de gravure contenant un gaz additif et une β-dicétone, ledit procédé étant caractérisé en ce que le film métallique comprend un élément métallique capable de former un complexe avec la β-dicétone, et la quantité d'eau, rapportée à la β-dicétone, dans le gaz de gravure est inférieure ou égale à 30 ppm en masse. De plus, la β-dicétone à utiliser pour la gravure sèche provient, de préférence, d'un récipient étanche à l'air rempli de β-dicétone, qui est obtenu en remplissant de β-dicétone un récipient étanche à l'air, la teneur en eau, rapportée à la β-dicétone, dans le récipient étanche à l'air étant de 15 ppm en poids. Ce procédé permet de graver un film métallique tout en empêchant les variations de vitesse de gravure, de l'utilisation initiale à l'utilisation finale du récipient rempli.
(JA) 基板上の金属膜を、β-ジケトンと添加ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法であって、前記金属膜が、前記β-ジケトンと錯体を形成可能な金属元素を含み、前記エッチングガスに含まれる水の量が、前記β-ジケトンに対して30質量ppm以下であることを特徴とする。また、前記ドライエッチングに用いるβ-ジケトンは、β-ジケトンが密閉容器に充填され、前記密閉容器中の水含有量が、前記β-ジケトンに対して15質量ppm以下であるβ-ジケトン充填済み容器から供給されることが好ましい。この方法により、充填済み容器の使用初期から使用終期まで、エッチング速度のばらつきを抑えながら金属膜をエッチングすることができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)