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1. (WO2018128051) 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/128051 国際出願番号: PCT/JP2017/044261
国際公開日: 12.07.2018 国際出願日: 11.12.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/14 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
14
融液または結晶化した物質の加熱
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
高野 清隆 TAKANO Kiyotaka; JP
鎌田 洋之 KAMADA Hiroyuki; JP
高沢 雅紀 TAKAZAWA Masanori; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2017-00107006.01.2017JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD AND SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL ET DISPOSITIF DE TIRAGE DE MONOCRISTAL
(JA) 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置
要約:
(EN) Provided is a single crystal manufacturing method using a horizontal-magnetic-field imparting Czochralski method, wherein: when the height from the bottom of a quartz crucible to a bath surface at the start of pulling of the body of a single crystal ingot is 100%, a thermal center height of the outer peripheral surface of the quartz crucible in a vertical direction that is perpendicular to a line of magnetic force of the horizontal magnetic field in a horizontal plane including the line of magnetic force and a center axis of a super conducting coil is set to a height of 100% to 130%; and the thermal center height of the outer peripheral surface of the quartz crucible in a direction other than the perpendicular direction in the horizontal plane including the line of magnetic force and the center axis of the super conducting coil is set to a height of 60% to 80%. Due to this configuration, a single crystal manufacturing method and single crystal pulling device are provided with which the oxygen concentration in the crystal of the single crystal ingot can be kept low, and in particular, a low-oxygen crystal of no more than 2.2 × 1017 (atoms/cm3) based on ASTM'80 can be obtained. Further, an increase in the time for precursor melting can be prevented, and the operability is improved because dislocation, etc. of the single crystal does not readily occur.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de monocristal à l'aide d'un procédé de Czochralski conférant un champ magnétique horizontal, dans lequel : lorsque la hauteur depuis le fond d'un creuset en quartz jusqu'à une surface de bain au début du tirage du corps d'un lingot monocristallin est de 100 %, une hauteur centrale thermique de la surface périphérique externe du creuset en quartz dans une direction verticale qui est perpendiculaire à une ligne de force magnétique du champ magnétique horizontal dans un plan horizontal comprenant la ligne de force magnétique et un axe central d'une bobine supraconductrice est réglée à une hauteur de 100 % à 130 % ; et la hauteur centrale thermique de la surface périphérique externe du creuset en quartz dans une direction autre que la direction perpendiculaire dans le plan horizontal comprenant la ligne de force magnétique et l'axe central de la bobine supraconductrice est réglée à une hauteur de 60 % à 80 %. Grâce à cette configuration, un procédé de fabrication de monocristal et un dispositif de tirage de monocristal sont obtenus, permettant de maintenir la concentration en oxygène dans le cristal du lingot monocristallin basse et, en particulier, d'obtenir un cristal à faible teneur en oxygène ne dépassant pas 2,2 × 1017 (atomes/cm3) sur la base de la norme ASTM'80. En outre, une augmentation du temps de fusion du précurseur peut être empêchée et l'aptitude au fonctionnement est améliorée étant donné que la dislocation, etc. du monocristal ne se produit pas facilement.
(JA) 本発明は、水平磁場印加チョクラルスキー法による単結晶製造方法であって、水平磁場の磁力線と超電導コイルの中心軸を含む水平面内で磁力線に垂直な垂直方向における石英坩堝の外周面の熱中心高さを、単結晶インゴットの直胴の引上げ開始時における石英坩堝底から湯面までの高さを100%とするとき、100%以上130%以下の高さとし、かつ、磁力線と超電導コイルの中心軸を含む水平面内であり垂直方向以外の方向における石英坩堝の外周面の熱中心高さを、60%以上80%以下の高さとする単結晶製造方法である。これにより、単結晶インゴットの結晶中の酸素濃度を低く抑制でき、特には、ASTM'80で、2.2×1017(atoms/cm)以下の低酸素結晶が得られ、また、原料溶融の長時間化を防止でき、単結晶の有転位化等が生じにくいため操業性も良好となる単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)