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1. (WO2018128046) シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法
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国際公開番号: WO/2018/128046 国際出願番号: PCT/JP2017/044012
国際公開日: 12.07.2018 国際出願日: 07.12.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/22 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
20
制御または調整(制御または調整一般G05)
22
引出された結晶近傍の溶融ゾーンの安定化または形状の制御;結晶断面の制御
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
発明者:
末若 良太 SUEWAKA Ryota; JP
代理人:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
優先権情報:
2017-00067705.01.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING CONDITION CALCULATION PROGRAM, SILICON SINGLE CRYSTAL HOT ZONE IMPROVEMENT METHOD, AND SILICON SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD
(FR) PROGRAMME DE CALCUL DE L’ÉTAT DE TRACTION D’UN MONOCRISTAL DE SILICIUM, PROCÉDÉ D’AMÉLIORATION DE LA ZONE DE CHAUFFAGE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE D’UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法
要約:
(EN) Provided is a pulling condition calculation program that causes a computer to execute the following: a step (S2) for setting a plurality of pulling conditions according to a solid/liquid interface height and a distance between a liquid surface of a silicone single crystal and a heat shielding plate, and calculating a heat flux (q) (W/m2) and a crystal surface temperature (T) for each pulling condition; a step for setting a reference temperature (Tref) given in a formula (1) and a solid/liquid interface shape as boundary conditions; a step (S3) for recalculating a crystal internal temperature distribution; a step (S4) for calculating an average stress within the silicon single crystal; a step (S5) for calculating a pulling direction defect distribution on the basis of the average stress and the crystal internal temperature distribution; a step (S6) for finding a defect-free region in the pulling direction; and a step (S8) for generating a contour line of the size of the defect-free region on a two-dimensional map of the distance and the solid/liquid interface height.
(FR) La présente invention concerne un programme de calcul d’un état de traction qui amène un ordinateur à exécuter ce qui suit : une étape (S2) de définition d’une pluralité des états de traction selon une hauteur de l’interface solide/liquide et une distance entre une surface liquide d’un monocristal de silicium et d’une plaque de protection thermique, et le calcul d’un flux de chaleur (q) (W/m2) et d’une température de surface du cristal (T) pour chaque état de traction ; une étape de paramétrage d’une température de référence (Tref) donnée dans une formule (1) et une forme d’interface solide/liquide comme états limites ; une étape (S3) destinée à recalculer une distribution de température interne de cristal ; une étape (S4) de calcul d’une contrainte moyenne à l’intérieur du monocristal de silicium ; une étape (S5) de calcul d’une distribution de défaut de sens de traction sur la base de la contrainte moyenne et de la distribution de la température interne du cristal ; une étape (S6) pour trouver une région sans défaut dans le sens de traction ; et une étape (S8) de production d’une ligne de contour de la taille de la région sans défaut sur une carte bidimensionnelle de la distance et de la hauteur de l’interface solide/liquide.
(JA) 引き上げ条件演算プログラムは、固液界面高さおよびシリコン単結晶の液面と熱遮蔽板との距離に応じた複数の引き上げ条件を設定し、各引き上げ条件について、熱流束(q)(W/m)および結晶表面温度(T)を演算するステップ(S2)、下記式(1)で与えられる参照温度(Tref)と、固液界面形状とを境界条件として設定するステップと、結晶内温度分布を再演算するステップ(S3)、シリコン単結晶内の平均応力を演算するステップ(S4)、平均応力、結晶内温度分布に基づいて、引き上げ方向の欠陥分布を演算するステップ(S5)、引き上げ方向の無欠陥領域を求めるステップ(S6)、距離および固液界面高さの二次元マップ上に、無欠陥領域の大きさの等高線を生成するステップ(S8)をコンピュータに実行させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)