このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018128009) 成膜方法及び巻取式成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/128009 国際出願番号: PCT/JP2017/040975
国際公開日: 12.07.2018 国際出願日: 14.11.2017
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
56
連続被覆のために特に適合した装置;真空を維持するための装置,例.真空ロック
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
本間 裕章 HONMA, Hiroaki; JP
高橋 明久 TAKAHASHI, Hirohisa; JP
長谷川 正樹 HASEGAWA, Masaki; JP
代理人:
大森 純一 OMORI, Junichi; JP
優先権情報:
2017-00071505.01.2017JP
発明の名称: (EN) FILM FORMING METHOD AND WINDING TYPE FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM DE TYPE À ENROULEMENT
(JA) 成膜方法及び巻取式成膜装置
要約:
(EN) In order to suppress deformation of a flexible substrate, this film forming method according to an embodiment of the present invention includes a preliminary process in which a vacuum container is exhausted until the moisture pressure inside the vacuum container reaches a target value or less. Plasma is generated by applying an alternating voltage between a first chrome target and a second chrome target disposed inside the vacuum container. A chrome layer is formed on a film forming surface of a flexible substrate disposed so as to face the first chrome target and the second chrome target.
(FR) Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de formation de film destiné à supprimer la déformation d'un substrat souple qui comprend un processus préliminaire dans lequel un récipient sous vide est évacué jusqu'à ce que la pression d'humidité à l'intérieur du récipient sous vide atteigne une valeur égale ou inférieure à une valeur cible. Un plasma est généré par application d'une tension alternative entre une première cible de chrome et une seconde cible de chrome disposées à l'intérieur du récipient sous vide. Une couche de chrome est formée sur une surface de formation de film d'un substrat souple disposé de façon à faire face à la première cible de chrome et à la seconde cible de chrome.
(JA) 可撓性基板の変形を抑制するため、本発明の一形態に係る成膜方法は、真空容器内の水分圧が目的値以下になるまで上記真空容器が排気される予備処理を含む。上記真空容器内に配置された第1クロムターゲットと第2クロムターゲットとの間に交流電圧を印加することによりプラズマが発生する。上記第1クロムターゲット及び上記第2クロムターゲットに対向するように配置された可撓性基板の成膜面にクロム層が形成される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)