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1. (WO2018125204) PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (PSTTM) DEVICES WITH ENHANCED STABILITY AND METHOD TO FORM SAME
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国際公開番号: WO/2018/125204 国際出願番号: PCT/US2016/069473
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 30.12.2016
IPC:
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
発明者:
RAHMAN, MD Tofizur; US
WIEGAND, Christopher J.; US
OGUZ, Kaan; US
BROCKMAN, Justin S.; US
OUELLETTE, Daniel G.; US
MAERTZ, Brian; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
DOCZY, Mark L.; US
DOYLE, Brian S.; US
GOLONZKA, Oleg; US
GHANI, Tahir; US
代理人:
BRASK, Justin, K.; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (PSTTM) DEVICES WITH ENHANCED STABILITY AND METHOD TO FORM SAME
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (PSTTM) À STABILITÉ AMÉLIORÉE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CEUX-CI
要約:
(EN) A material layer stack for a pSTTM memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) stack, a oxide layer, a protective layer and a capping layer. The MTJ includes a fixed magnetic layer, a tunnel barrier disposed above the fixed magnetic layer and a free magnetic layer disposed on the tunnel barrier. The oxide layer, which enables an increase in perpendicularity of the pSTTM material layer stack, is disposed on the free magnetic layer. The protective layer is disposed on the oxide layer, and acts as a protective barrier to the oxide from physical sputter damage during subsequent layer deposition. A conductive capping layer with a low oxygen affinity is disposed on the protective layer to reduce iron-oxygen de-hybridization at the interface between the free magnetic layer and the oxide layer. The inherent non-oxygen scavenging nature of the conductive capping layer enhances stability and reduces retention loss in pSTTM devices.
(FR) L'invention concerne un empilement de couches de matériau pour un dispositif de mémoire pSTTM qui comprend un empilement de jonction tunnel magnétique (MTJ), une couche d'oxyde, une couche protectrice et une couche de recouvrement. La MTJ comprend une couche magnétique fixe, une barrière tunnel disposée au-dessus de la couche magnétique fixe et une couche magnétique libre disposée sur la barrière tunnel. La couche d'oxyde, qui permet une augmentation de la perpendicularité de l'empilement de couches de matériau pSTTM, est disposée sur la couche magnétique libre. La couche de protection est disposée sur la couche d'oxyde et sert de barrière de protection à l'oxyde contre des dommages physiques de pulvérisation cathodique pendant un dépôt de couches ultérieur. Une couche de recouvrement conductrice ayant une faible affinité pour l'oxygène est disposée sur la couche de protection pour réduire la déshybridation fer-oxygène au niveau de l'interface entre la couche magnétique libre et la couche d'oxyde. La nature non désoxydante inhérente de la couche de recouvrement conductrice améliore la stabilité et réduit la perte de rétention dans les dispositifs pSTTM.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)