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国際公開番号: WO/2018/124214 国際出願番号: PCT/JP2017/047038
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 27.12.2017
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人: V TECHNOLOGY CO., LTD.[JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
発明者: MIZUMURA Michinobu; JP
代理人: SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
優先権情報:
2016-25569028.12.2016JP
発明の名称: (EN) LASER IRRADIATION DEVICE, THIN-FILM TRANSISTOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION LASER, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) レーザ照射装置、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of possible variations in the characteristics of a plurality of thin-film transistors included in a glass substrate. A laser irradiation device according to an embodiment of the present invention is provided with: a light source for generating laser light; a projection lens for irradiating the laser light onto a predetermined region of an amorphous silicon thin-film deposited on each of a plurality of thin-film transistors on a glass substrate moving in a predetermined direction; and a projecting mask pattern which is disposed on the projection lens and which includes a plurality of rows each having a predetermined number of openings, the plurality of rows being disposed in parallel with the predetermined direction. The laser irradiation device is characterized in that the projection lens irradiates the laser light via the projecting mask pattern, wherein in each of the plurality of rows of the projecting mask pattern, at least some of the predetermined number of openings are not arranged on a straight line parallel with the predetermined direction.
(FR) La présente invention aborde le problème des variations possibles des caractéristiques d'une pluralité de transistors à couches minces compris dans un substrat en verre. Un dispositif d'irradiation laser selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une source de lumière permettant de générer une lumière laser ; une lentille de projection permettant d'irradier la lumière laser sur une région prédéterminée d'un film mince de silicium amorphe déposé sur chaque transistor à couches minces d'une pluralité de transistors à couches minces sur un substrat en verre se déplaçant dans une direction prédéterminée ; et un motif de masque en saillie qui est disposé sur la lentille de projection et qui comprend une pluralité de rangées ayant chacune un nombre prédéterminé d'ouvertures, la pluralité de rangées étant disposée en parallèle à la direction prédéterminée. Le dispositif d'irradiation laser est caractérisé en ce que la lentille de projection irradie la lumière laser par l'intermédiaire du motif de masque en saillie, au moins une partie des ouvertures du nombre prédéterminé d'ouvertures n'étant pas disposée sur une ligne droite parallèle à la direction prédéterminée, dans chaque rangée de la pluralité de rangées du motif de masque en saillie.
(JA) ガラス基板に含まれる複数の薄膜トランジスタの特性には、ばらつきが生じてしまう可能性がある。 本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、所定方向に移動するガラス基板上の複数の薄膜トランジスタの各々に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、当該レーザ光を照射する投影レンズと、当該投影レンズ上に設けられ、各々が所定数の開口部を含む複数の列であって、当該所定方向に平行に設けられる複数の列を有する投影マスクパターンと、を備え、当該投影レンズは、当該投影マスクパターンを介して当該レーザ光を照射し、当該投影マスクパターンは、当該複数の列の各々において、当該所定数の開口部の少なくとも一部が当該所定方向に平行な一直線上に配置されていないことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)