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1. (WO2018124211) 基板処理装置及び基板処理方法
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国際公開番号: WO/2018/124211 国際出願番号: PCT/JP2017/047028
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 27.12.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
芝浦メカトロニクス株式会社 SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目5番1号 5-1, Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2478610, JP
中興化成工業株式会社 CHUKOH CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 東京都港区赤坂2丁目11番7号 2-11-7, Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
発明者:
濱田 崇広 HAMADA, Takahiro; JP
林 航之介 HAYASHI, Konosuke; JP
長嶋 裕次 NAGASHIMA, Yuji; JP
神山 洋輝 KAMIYAMA, Hiroki; JP
代理人:
蔵田 昌俊 KURATA, Masatoshi; JP
野河 信久 NOGAWA, Nobuhisa; JP
河野 直樹 KOHNO, Naoki; JP
井上 正 INOUE, Tadashi; JP
優先権情報:
2016-25490728.12.2016JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約:
(EN) A substrate processing device 10 for cleaning a surface Wa to be cleaned of a semiconductor wafer W, wherein the substrate processing device 10 is provided with: a rotary chuck 21 capable of holding the semiconductor wafer W; a cleaning brush 41a disposed so as to face the surface Wa to be cleaned of the semiconductor wafer W held by the rotary chuck 21, the cleaning brush 41a being such that fibers of a porous fluororesin are formed in the perpendicular direction with respect to the surface of the semiconductor wafer W; a rotary motor 44 for rotationally driving the rotary chuck 21 so that the normal direction of the surface Wa to be cleaned of the substrate is the substrate rotation axis; and a nozzle tube 45 for feeding a cleaning liquid L to the surface Wa to be cleaned of the semiconductor wafer W held by the rotary chuck 21. The particle removal power is thereby increased, making it possible to use a chemical liquid as the cleaning liquid or heat the cleaning liquid, and to perform particle removal over a wide range.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat (10) destiné à nettoyer une surface Wa à nettoyer d'une galette en semiconducteur W. Le dispositif de traitement de substrat (10) est pourvu d'un mandrin rotatif (21) apte à maintenir la galette en semiconducteur W ; d'une brosse de nettoyage (41a) disposée de manière à faire face à la surface Wa à nettoyer de la galette en semiconducteur W maintenue par le mandrin rotatif (21), la brosse de nettoyage (41a) étant telle que des fibres d'une résine fluorée poreuse sont formées dans la direction perpendiculaire par rapport à la surface de la galette en semiconducteur W ; d'un moteur rotatif (44) destiné à entraîner en rotation le mandrin rotatif (21) de telle sorte que la direction normale de la surface Wa à nettoyer du substrat est l'axe de rotation du substrat ; et d'un tube de buse (45) destiné à introduire un liquide de nettoyage L sur la surface Wa à nettoyer de la galette en semiconducteur W maintenue par le mandrin rotatif (21). La puissance d'élimination de particules est ainsi accrue, ce qui permet d'utiliser un liquide chimique comme liquide de nettoyage ou de chauffer le liquide de nettoyage, et d'effectuer une élimination de particules de grande ampleur.
(JA) 半導体ウェーハWの被洗浄面Waを洗浄する基板処理装置10において、半導体ウェーハWを保持可能な回転チャック21と、回転チャック21に保持される半導体ウェーハWの被洗浄面Waに対向配置され、多孔質のフッ素樹脂の繊維を半導体ウェーハWの面に対し、垂直方向に向けて形成された洗浄ブラシ41aと、回転チャック21を上記基板の被洗浄面Waの法線方向を基板回転軸にして回転駆動する回転モータ44と、回転チャック21に保持される半導体ウェーハWの被洗浄面Waに洗浄液Lを供給するノズル管45を備えることで、パーティクル除去力を増加させるため、洗浄液として薬液を用いたり、洗浄液を加熱したりすることができると共に広範囲のパーティクル除去を行うことが可能である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)