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1. (WO2018124112) ポリシラン化合物、組成物、硬化物及び基板の製造方法、並びにアニオン重合選択的促進剤
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国際公開番号: WO/2018/124112 国際出願番号: PCT/JP2017/046744
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 26.12.2017
IPC:
C08G 77/60 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/04 (2006.01)
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
60
すべてのけい素原子が酸素原子以外の連結基により結合されているもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
04
封止装置
出願人:
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP
発明者:
染谷 和也 SOMEYA Kazuya; JP
野田 国宏 NODA Kunihiro; JP
千坂 博樹 CHISAKA Hiroki; JP
塩田 大 SHIOTA Dai; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki; JP
優先権情報:
2016-25710228.12.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYSILANE COMPOUND, COMPOSITION, CURED PRODUCT AND SUBSTRATE, AND ANIONIC POLYMERIZATION SELECTIVE ACCELERATOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSÉ POLYSILANE, COMPOSITION, PRODUIT DURCI ET SUBSTRAT, ET ACCÉLÉRATEUR SÉLECTIF DE POLYMÉRISATION ANIONIQUE
(JA) ポリシラン化合物、組成物、硬化物及び基板の製造方法、並びにアニオン重合選択的促進剤
要約:
(EN) The present invention provides: a method for producing a polysilane compound which is capable of suppressing the generation of an outgas and the occurrence of microcracks in a film that contains the polysilane compound; and an anionic polymerization selective accelerator that is used in the production of the polysilane compound, and a composition, a cured product and a substrate, each of which contains the polysilane compound. A method for producing a polysilane compound, which comprises a process for causing a reaction of a halosilane compound in the presence of a nitroxy compound. An anionic polymerization selective accelerator which is used in the production of a polysilane compound, and which contains a nitroxy compound that comprises a structure represented by general formula (A). (In formula (A), each of Ra1, Ra2, Ra3 and Ra4 independently represents a hydrogen atom or an organic group; Ra1 and Ra2 may combine with each other to form a ring; and Ra3 and Ra4 may combine with each other to form a ring.)
(FR) La présente invention concerne : un procédé de production d’un composé polysilane qui est apte à supprimer la production d’un gaz extérieur et l’apparition de microfissures dans un film qui contient le composé polysilane ; et un accélérateur sélectif de polymérisation anionique qui est utilisé dans la production du composé polysilane, et une composition, un produit durci et un substrat, chacun contenant le composé polysilane. La présente invention concerne également un procédé de production d’un composé polysilane, qui comprend un procédé consistant à effectuer une réaction d’un composé halogénosilane en la présence d’un composé nitroxy. Un accélérateur sélectif de polymérisation anionique qui est utilisé dans la production d’un composé polysilane, et qui contient un composé nitroxy qui comprend une structure représentée par la formule générale (A). (Dans la formule (A), chacun de Ra1, Ra2, Ra3 et Ra4 représente indépendamment un atome d’hydrogène ou un groupe organique ; Ra1 et Ra2 peuvent s’associer l’un à l’autre pour former un cycle ; et Ra3 et Ra4 peuvent s’associer l’un à l’autre pour former un cycle.)
(JA) ポリシラン化合物を含む膜におけるアウトガス発生及びマイクロクラック発生を抑制することができるポリシラン化合物の製造方法、該ポリシラン化合物を含む組成物、硬化物及び基板並びにポリシラン化合物の製造におけるアニオン重合選択的促進剤を提供すること。 ニトロキシ化合物の存在下においてハロシラン化合物を反応させることを含むポリシラン化合物の製造方法。下記一般式(A)で表される構造を含むニトロキシ化合物を含む、ポリシラン化合物の製造におけるアニオン重合選択的促進剤。 (式(A)中、Ra1、Ra2、Ra3、及びRa4は、それぞれ独立に、水素原子、又は有機基である。Ra1とRa2とは、互いに結合して環を形成してもよい。また、Ra3とRa4とは、互いに結合して環を形成してもよい。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)