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1. (WO2018124097) 穴あき基板の製造方法および穴あき基板製造システム
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国際公開番号: WO/2018/124097 国際出願番号: PCT/JP2017/046710
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 26.12.2017
IPC:
C03B 33/02 (2006.01) ,C03C 15/00 (2006.01) ,C03C 21/00 (2006.01) ,C23F 1/18 (2006.01) ,C23F 1/30 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01)
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
B
ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形;または、ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形における補助プロセス
33
冷えたガラスの切断
02
板ガラスの切断または欠き;そのための装置あるいは機械
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
15
繊維やフィラメントの形態をとらないガラスの,エッチングによる表面処理
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
21
繊維やフィラメントの形態をとらないガラスの,表面にイオンまたは金属を拡散することによる表面処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
14
水溶液組成物
16
酸性組成物
18
銅または銅合金をエッチングするためのもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
14
水溶液組成物
16
酸性組成物
30
その他の金属質材料をエッチングするためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人:
国立大学法人千葉大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION CHIBA UNIVERSITY [JP/JP]; 千葉県千葉市稲毛区弥生町1番33号 1-33, Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba-shi, Chiba 2638522, JP
ウシオ電機株式会社 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番5号 1-6-5, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150, JP
発明者:
松坂 壮太 MATSUSAKA, Souta; JP
青山 拓樹 AOYAMA, Hiroki; JP
小高 大樹 KODAKA, Hiroki; JP
川村 拓史 KAWAMURA, Hirofumi; JP
代理人:
小西 恵 KONISHI, Kay; JP
永岡 重幸 NAGAOKA, Shigeyuki; JP
優先権情報:
2016-25365527.12.2016JP
発明の名称: (EN) PERFORATED BASE BOARD PRODUCTION METHOD AND PERFORATED BASE BOARD PRODUCTION SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PLAQUE DE BASE PERFORÉE ET SYSTÈME DE PRODUCTION DE PLAQUE DE BASE PERFORÉE
(JA) 穴あき基板の製造方法および穴あき基板製造システム
要約:
(EN) The objective of the invention is to efficiently form minute holes in a base board. In one aspect, the perforated base board production method comprises: a depositing step of injecting a metal disposed in a portion of the base board surface into the base board through the application of a voltage, and depositing the injected metal within the base board through the application of a voltage that is identical to or different from the previously applied voltage; and a hole-forming step of melting by etching the metal deposited within the base board, thereby forming the hole in the base board.
(FR) L'objectif de l'invention est de percer efficacement des trous minuscules dans une plaque de base. Selon un aspect, le procédé de production de plaque de base perforée comprend : une étape de dépôt consistant à injecter un métal disposé dans une partie de la surface de la plaque de base dans la plaque de base par application d'une tension, cela étant suivi du dépôt du métal injecté à l'intérieur de la plaque de base par application d'une tension identique ou différente de la tension appliquée précédemment ; et une étape de formation des trous consistant à faire fondre par attaque chimique le métal déposé à l'intérieur de la plaque de base, avec pour résultat la formation des trous dans la plaque de base.
(JA) 基板に微小サイズの穴を効率よく形成する。穴あき基板の製造方法の一態様は、基板の表面の一部に配置された金属をその基板内に電圧印加で注入し、注入した金属をその基板内に、上記電圧印加と同じ又は別の電圧印加で析出させる析出工程と、上記基板内に析出した金属をエッチングで溶かすことにより上記基板に穴を形成する穴形成工程と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)