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1. (WO2018123955) 配線構造及びその製造方法、スパッタリングターゲット材、並びに酸化防止方法
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国際公開番号: WO/2018/123955 国際出願番号: PCT/JP2017/046399
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 25.12.2017
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01) ,C22C 9/00 (2006.01) ,C22C 9/05 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
05
次に多い成分としてマンガンを含むもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532
材料に特徴のあるもの
出願人:
三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 1-11-1 Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584, JP
発明者:
徳地 成紀 TOKUCHI, Shigeki; JP
高橋 誠一郎 TAKAHASHI, Seiichiro; JP
代理人:
特許業務法人翔和国際特許事務所 SHOWA INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都港区赤坂二丁目5番7号NIKKEN赤坂ビル7階 NIKKEN AKASAKA BLDG., 7F., 5-7, Akasaka 2-chome, Minato-Ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2016-25578728.12.2016JP
発明の名称: (EN) WIRING STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PREVENTING OXIDATION
(FR) STRUCTURE DE CÂBLAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, MATÉRIAU CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRÉVENTION D'OXYDATION
(JA) 配線構造及びその製造方法、スパッタリングターゲット材、並びに酸化防止方法
要約:
(EN) This wiring structure (10) is provided with: a substrate (11); a copper-containing wiring layer (12) disposed on the substrate (11); a metal layer (14) that is disposed on the wiring layer (12) and comprises a copper-zirconium alloy; and an insulating layer (16) that is disposed on the metal layer (14) and comprises a non-oxide. It is preferable that: the insulating layer (16) comprises a nitride; the nitride comprises silicon nitride; and the copper-zirconium alloy contains 0.5-45 mol% of zirconium with respect to the total number of moles of copper and zirconium.
(FR) L'invention concerne une structure de câblage (10) comprenant : un substrat (11); une couche de câblage contenant du cuivre (12) disposée sur le substrat (11); une couche métallique (14) qui est disposée sur la couche de câblage (12) et comprenant un alliage de cuivre-zirconium; et une couche isolante (16) qui est disposée sur la couche métallique (14) et comprenant un non-oxyde. Il est préférable que : la couche isolante (16) comprenne un nitrure; le nitrure comprenant du nitrure de silicium; et l'alliage cuivre-zirconium contenant 0,5 à 45 % en moles de zirconium par rapport au nombre total de moles de cuivre et de zirconium.
(JA) 配線構造(10)は、基板(11)と、基板(11)上に設けられた銅を含む配線層(12)と、配線層(12)上に設けられた銅ジルコニウム合金からなる金属層(14)と、金属層(14)上に設けられた非酸化物からなる絶縁層(16)とを備える。絶縁層(16)が窒化物からなることが好適である。窒化物が窒化珪素からなることも好適である。銅ジルコニウム合金が、銅及びジルコニウムのモル数の合計に対してジルコニウムを0.5モル%以上45モル%以下含むものであることも好適である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)