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1. (WO2018123940) ハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/123940 国際出願番号: PCT/JP2017/046370
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 25.12.2017
IPC:
G03F 1/00 (2012.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,G03F 1/32 (2012.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32
減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
40
画像様除去後の処理,例.加熱
出願人:
株式会社エスケーエレクトロニクス SK-ELECTRONICS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区東堀川通リ一条上ル竪富田町436番地の2 436-2, Tatetomita-cho, Ichijo-agaru, Higashi Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6020955, JP
発明者:
美作 昌宏 MIMASAKA, Masahiro; JP
代理人:
特許業務法人森脇特許事務所 MORIWAKI IP, P.C.; 京都府京都市下京区烏丸通四条下ル水銀屋町637 第五長谷ビル Fifth Hase Building, 637, Suiginya-cho, Karasuma-dori Shijo-sagaru, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008411, JP
優先権情報:
2016-25653528.12.2016JP
発明の名称: (EN) HALFTONE MASK, PHOTOMASK BLANK, AND METHOD FOR MANUFACTURING HALFTONE MASK
(FR) MASQUE EN DEMI-TEINTE, ÉBAUCHE DE PHOTOMASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE EN DEMI-TEINTE
(JA) ハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a halftone mask with which both a finer pattern and multi-gradation can be achieved. [Solution] A first semitransparent region comprising a first semitransparent film, a second semitransparent region comprising a laminate of the first semitransparent film and a second semitransparent film, a transparent region, and a region in which the first semitransparent region and the second semitransparent region are adjacent to each other, are provided on a transparent substrate. The transmissivity of the first and second semitransparent regions with respect to exposure light respectively is 10–70% and 1–8%, and the second semitransparent region inverts the phase of the exposure light. Consequently, the intensity distribution of the exposure light changes sharply at the boundary portion of the adjacent first semitransparent region and second semitransparent region, enabling the cross-sectional shape of an exposed photoresist pattern to be improved.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un masque en demi-teinte avec lequel un motif plus fin et une multi-gradation peuvent être obtenus à la fois. La solution selon l'invention porte sur une première région semi-transparente comprenant un premier film semi-transparent, une seconde région semi-transparente comprenant un stratifié du premier film semi-transparent et un second film semi-transparent, une région transparente, et une région dans laquelle la première région semi-transparente et la seconde région semi-transparente sont adjacentes l'une à l'autre, et sont disposées sur un substrat transparent. La transmissivité des première et seconde régions semi-transparentes par rapport à la lumière d'exposition est respectivement de 10 à 70 % et de 1 à 8 %, et la seconde région semi-transparente inverse la phase de la lumière d'exposition. Par conséquent, la distribution d'intensité de la lumière d'exposition change fortement au niveau de la partie limite de la première région semi-transparente adjacente et de la seconde région semi-transparente, ce qui permet d'améliorer la forme de section transversale d'un motif de résine photosensible exposé.
(JA) 【課題】パターンの微細化と多階調とを両立できるハーフトーンマスクを提供する。 【解決手段】透明基板上に、第1の半透過膜からなる第1の半透過領域、前記第1の半透過膜と第2の半透過膜との積層からなる第2の半透過領域及び透明領域、並びに第1の半透過領域と第2の半透過領域とが隣接する領域とを有し、 前記第1及び第2の半透過領域の露光光に対する透過率は、それぞれ10~70[%]及び1~8[%]であり、第2の半透過領域は露光光の位相を反転する。その結果、隣接する第1の半透過領域と第2の半透過領域との境界部分において、露光光の強度分布が急峻に変化し、露光されたフォトレジストパターンの断面形状を改善することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)