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1. (WO2018123939) ハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/123939 国際出願番号: PCT/JP2017/046369
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 25.12.2017
IPC:
G03F 1/32 (2012.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32
減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
40
画像様除去後の処理,例.加熱
出願人: SK-ELECTRONICS CO., LTD.[JP/JP]; 436-2, Tatetomita-cho, Ichijo-agaru, Higashi Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6020955, JP
発明者: YAMADA, Shingo; JP
MORIYAMA, Kumiko; JP
MIMASAKA, Masahiro; JP
代理人: MORIWAKI IP, P.C.; Fifth Hase Building, 637, Suiginya-cho, Karasuma-dori Shijo-sagaru, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008411, JP
優先権情報:
2016-25653428.12.2016JP
発明の名称: (EN) HALFTONE MASK, PHOTOMASK BLANK, AND METHOD FOR MANUFACTURING HALFTONE MASK
(FR) MASQUE EN DEMI-TEINTE, DÉCOUPE POUR PHOTOMASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE EN DEMI-TEINTE
(JA) ハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a multi-gray level halftone mask which enables the exposure of a fine photoresist pattern. [Solution] On a transparent substrate, a semi-transmitting part comprising a pattern of a semi-transmitting film and a phase shift part comprising a pattern of a phase shift film are formed, wherein the phase shift film inverts the phase of exposing light, and the transmittance of the phase shift film is lower than that of the semi-transmitting film. In addition, on a boundary part to which the semi-transmitting part and the phase shift part are adjacent, a laminated film of the semi-transmitting film, the phase shift film, and an etching stopper film is formed, wherein the etching stopper film comprises a material which is not etched by an etchant for the semi-transmitting film and an etchant for the phase shift film. Consequently, a photomask having both a halftone effect and a phase shift effect is obtained.
(FR) La présente invention aborde le problème de la réalisation d'un masque en demi-teinte à niveaux de gris multiples qui permet l'exposition d'un motif de résine photosensible fin. La solution consiste à former, sur un substrat transparent, une partie semi-émettrice comprenant un motif d'un film semi-émetteur et une partie de décalage de phase comprenant un motif d'un film de décalage de phase, le film de décalage de phase inversant la phase de la lumière d'exposition, et la transmittance du film de décalage de phase étant inférieure à celle du film semi-émetteur. De plus, sur une partie de limite à laquelle la partie semi-émettrice et la partie de déphasage sont adjacentes, un film stratifié du film semi-émetteur, du film de décalage de phase, et d'un film d'arrêt de gravure est formé, le film d'arrêt de gravure comprenant un matériau qui n'est pas gravé par un agent de gravure pour le film semi-émetteur et un agent de gravure pour le film à décalage de phase. Par conséquent, un photomasque ayant à la fois un effet de demi-teinte et un effet de décalage de phase est obtenu.
(JA) 【課題】微細なフォトレジストパターンを露光することが可能な多階調のハーフトーンマスクを提供する。 【解決手段】透明基板上に、半透過膜のパターンからなる半透過部と位相シフト膜のパターンからなる位相シフト部とが形成されており、位相シフト膜は、露光光の位相を反転し、位相シフト膜の透過率は、半透過膜の透過率より低い。また、半透過部と位相シフト部とが隣接する境界部において、半透過膜と位相シフト膜とエッチングストッパ膜との積層膜とが形成され、エッチングストッパ膜は、半透過膜と位相シフト膜とのエッチング液によりエッチングされない材質からなる。その結果、ハーフトーンの効果と位相シフトの効果の両方を有するフォトマスクを実現する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)