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1. (WO2018123905) 撮像パネル及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/123905 国際出願番号: PCT/JP2017/046234
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 22.12.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
代理人:
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
優先権情報:
2016-25441527.12.2016JP
発明の名称: (EN) IMAGING PANEL AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
要約:
(EN) Provided are: an x-ray imaging panel that achieves improved producibility; and a production method for the same. An imaging panel 1 generates an image on the basis of scintillation light obtained from x-rays that have passed through a subject. The imaging panel 1 has, on a substrate 101, an active region and a terminal region. The active region comprises: a thin film transistor; a first insulating film that is provided above the thin film transistor; a photoelectric conversion element that is provided above the first insulating film; a second insulating film that is disposed, apart, in an upper layer of the photoelectric conversion element and has a contact hole; and a conductive film that is connected to the photoelectric conversion element via the contact hole. The photoelectric conversion element includes a photoelectric conversion layer that includes a first semiconductor layer, an intrinsic amorphous semiconductor layer, and a second semiconductor layer. The terminal region comprises: a first conductive layer 100 that is formed from the same material as a gate electrode or a source electrode for the thin film transistor; a terminal first insulating film 103 that is formed from the same material as the first insulating film, is provided, apart, above a portion of the first conductive layer 110, and has an opening; a terminal semiconductor layer 1501 that is provided above the terminal first insulating layer 103 and is formed from the same material as at least one portion of the semiconductor layers of the photoelectric conversion layer; and a second conductive layer 1702 that is provided above the terminal semiconductor layer 1501, is formed from the same material as the conductive film, and is connected to the first conductive layer 100 at the opening in the terminal first insulating film 103.
(FR) L'invention concerne : un panneau d'imagerie à rayons X qui permet d'obtenir une productibilité améliorée ; et son procédé de production. Un panneau d'imagerie 1 génère une image sur la base d'une lumière de scintillation acquise à partir de rayons X qui ont traversé un objet. Le panneau d'imagerie 1 comporte, sur un substrat 101, une région active et une région de borne. La région active comprend : un transistor à couches minces ; un premier film isolant qui est disposé au-dessus du transistor à couches minces ; un élément de conversion photoélectrique qui est disposé au-dessus du premier film isolant ; un second film isolant qui est disposé, à distance, dans une couche supérieure de l'élément de conversion photoélectrique et comporte un trou de contact ; et un film conducteur qui est connecté à l'élément de conversion photoélectrique par l'intermédiaire du trou de contact. L'élément de conversion photoélectrique comprend une couche de conversion photoélectrique qui comprend une première couche semi-conductrice, une couche semi-conductrice amorphe intrinsèque et une seconde couche semi-conductrice. La région de borne comprend : une première couche conductrice 100 qui est constituée du même matériau qu'une électrode de grille ou qu'une électrode de source pour le transistor à couches minces ; un premier film isolant de borne 103 qui est constitué du même matériau que le premier film isolant, est disposé, à distance, au-dessus d'une partie de la première couche conductrice 110, et a une ouverture ; une couche semi-conductrice de borne 1501 qui est disposée au-dessus de la première couche isolante de borne 103 et est constituée du même matériau qu'au moins une partie des couches semi-conductrices de la couche de conversion photoélectrique ; et une seconde couche conductrice 1702 qui est disposée au-dessus de la couche semi-conductrice de borne 1501, est constituée du même matériau que le film conducteur, et est connectée à la première couche conductrice 100 au niveau de l'ouverture dans le premier film isolant de borne 103.
(JA) 生産性を向上させ得るX線撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上にアクティブ領域と端子領域とを有する。アクティブ領域には、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上に設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の上に設けられた光電変換素子と、光電変換素子の上層に離間して配置され、コンタクトホールを有する第2の絶縁膜と、コンタクトホールを介して前記光電変換素子と接続された導電膜とを備える。光電変換素子は、第1の半導体層と、真性非晶質半導体層と、第2の半導体層とを含む光電変換層を含む。端子領域は、薄膜トランジスタのゲート電極又はソース電極と同じ材料で構成された第1の導電層100と、第1の絶縁膜と同じ材料で構成され、第1の導電層110の一部の上で離間して設けられ、開口を有する端子用第1絶縁膜103と、端子用第1絶縁膜103の上に設けられ、光電変換層の少なくとも一部の半導体層と同じ材料で構成された端子用半導体層1501と、端子用半導体層1501の上に設けられ、前記導電膜と同じ材料で構成され、端子用第1絶縁膜103の開口において第1の導電層100と接続された第2の導電層1702とを備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)