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1. (WO2018123881) SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/123881 国際出願番号: PCT/JP2017/046170
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 22.12.2017
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 23/06 (2006.01) ,C30B 33/00 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23
蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02
エピタキシャル層成長
06
成膜室,基板または被蒸発物質の加熱
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661, JP
発明者:
藤川 陽平 FUJIKAWA Yohei; JP
鷹羽 秀隆 TAKABA Hidetaka; JP
代理人:
及川 周 OIKAWA Shu; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
勝俣 智夫 KATSUMATA Tomoo; JP
優先権情報:
2016-25080426.12.2016JP
発明の名称: (EN) SiC WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SiC WAFER
(FR) TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM (SiC) ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SiC
(JA) SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法
要約:
(EN) In this SiC wafer: the difference between the threading dislocation density of threading dislocations that are exposed on a first surface and the threading dislocation density of threading dislocations that are exposed on a second surface is at most 10% of the threading dislocation density on the surface having a higher threading dislocation density among the first surface and the second surface; and at least 90% of the threading dislocations exposed on the surface having the higher threading density among the first surface and the second surface extend to the surface having the lower threading dislocation density.
(FR) L'invention concerne une tranche de carbure de silicium (SiC) caractérisée en ce que : la différence entre la densité de dislocations traversantes de dislocations traversantes qui sont exposées sur une première surface et la densité de dislocations traversantes de dislocations traversantes qui sont exposées sur une seconde surface est d'au maximum 10% de la densité de dislocations traversantes sur la surface ayant une densité de dislocations traversantes supérieure parmi la première et la seconde surface; et au moins 90% des dislocations traversantes exposées sur la surface ayant la densité de dislocations traversantes supérieure parmi la première surface et la seconde surface s'étendent vers la surface ayant la densité de dislocations traversantes inférieure.
(JA) このSiCウェハは、第1の面に表出する貫通転位の貫通転位密度と、第2の面に表出する貫通転位の貫通転位密度との差が、前記第1の面と前記第2の面とのうち貫通転位密度が高い側の面における貫通転位密度の10%以下であり、前記第1の面と前記第2の面とのうち貫通転位密度が高い側の面に表出する貫通転位のうち90%以上が、貫通転位密度が低い側の面まで延在している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)