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1. (WO2018123799) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/123799    International Application No.:    PCT/JP2017/045908
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/76
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.
パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventors: MATSUSHIMA Yoshihiro
松島 芳宏
SOTA Shigetoshi
曽田 茂稔
YASUDA Eiji
安田 英司
IMAI Toshikazu
今井 俊和
OKAWA Ryosuke
大河 亮介
YOSHIDA Kazuma
吉田 一磨
KATO Ryou
加藤 亮
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置(1)は、シリコンからなるN型の半導体基板(32)と、半導体基板(32)の上面に接するN型の低濃度不純物層(33)と、半導体基板(32)の下面全面に接する20μm以上の厚さの金属層(31)と、低濃度不純物層内に形成されたトランジスタ(10および20)とを備え、半導体基板(32)は、トランジスタ(10および20)のドレイン領域として機能し、トランジスタ(10および20)のソース電極の間を、トランジスタ(10)側の半導体基板(32)、金属層(31)、トランジスタ(20)側の半導体基板(32)を経由して流れる双方向経路を主電流経路とし、半導体基板(32)と低濃度不純物層(33)とを含む半導体層に対する金属層(31)の厚さの割合は0.27より大きく、半導体装置(1)は、さらに、金属層(31)の下面全面に、接着層(39)のみを介して接着されたセラミック材料からなる支持体(30)を有する。