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1. (WO2018123762) ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/123762    International Application No.:    PCT/JP2017/045703
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Dec 21 00:59:59 CET 2017
IPC: H05K 3/10
C01B 32/205
H01B 1/04
H01B 5/14
H01L 21/3205
H01L 21/768
H05K 1/09
Applicants: NEXT INNOVATION INC.
Next Innovation合同会社
Inventors: MICHIWAKI Hiroshi
道脇 裕
Title: ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法
Abstract:
【課題】簡易な製造工程で、様々な部位・部材に通電構造を形成可能にする。 【解決手段】本発明の通電構造は、ダイヤモンド及び/又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系領域20と、ダイヤモンド系領域20中に部分的に形成され、上記ダイヤモンド系材料よりもグラファイトの含有比率が高く、且つ、上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さい導電性領域30と、を備えるようにした。