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1. (WO2018123757) 電子デバイス及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/123757    International Application No.:    PCT/JP2017/045669
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Dec 21 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/768
H01L 23/532
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
株式会社村田製作所
Inventors: IZUMITANI, Junko
泉谷 淳子
Title: 電子デバイス及びその製造方法
Abstract:
メンブレン構造の側面からのガスや水分の侵入を防止することができる、電子デバイス及びその製造方法を提供する。 本実施形態に係る電子デバイスは、支持基板と、支持基板上に形成された埋め込み絶縁層と、埋め込み絶縁層上に形成されたシリコン層と、からなるSOI基板上に形成された複数の層と、複数の層及びSOI基板がパターン形成され、かつ、支持基板がない部位により構成される、メンブレン構造と、メンブレン構造の上面及び側面を被覆するパッシベーション膜と、を備える。