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1. (WO2018123696) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/123696    International Application No.:    PCT/JP2017/045387
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Dec 19 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/786
G02F 1/13
H01Q 3/34
H01Q 3/44
H01Q 13/22
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: MISAKI Katsunori
美崎 克紀
Title: TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Abstract:
TFT基板(105)は、複数のアンテナ単位領域(U)を含む送受信領域(R1)と、送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域(R2)とを備える。複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(3PE)とを有する。TFT基板は、TFTのソース電極(7S)、ドレイン電極、およびソースバスライン(SL)を含むソースメタル層(7)と、ソースメタル層上に形成され、TFTのゲート電極(3G)およびゲートバスライン(GL)を含むゲートメタル層(3)と、ソースメタル層とゲートメタル層との間に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲートメタル層上に形成された層間絶縁層(11)と、層間絶縁層上に形成された導電層(19)とを有する。パッチ電極は、ゲートメタル層に含まれる。