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1. (WO2018123696) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/123696 国際出願番号: PCT/JP2017/045387
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 18.12.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者: MISAKI Katsunori; --
代理人: OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2016-25532428.12.2016JP
発明の名称: (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA COMPRISING TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
要約: front page image
(EN) A TFT substrate (105) comprises: a transmission/reception region (R1) that includes a plurality of antenna unit regions (U); and a non-transmission/reception region (R2) that is located where the transmission/reception region is not. Each of the plurality of antenna unit regions has a TFT (10), and a patch electrode (3PE) that is electrically connected to a drain electrode (7D) for the TFT. The TFT substrate has: a source metal layer (7) that includes source electrodes (7S), the drain electrodes, and source bus lines (SL) for the TFTs; a gate metal layer (3) that is formed upon the source metal layer and includes gate electrodes (3G) and gate bus lines (GL) for the TFTs; a gate insulating layer (4) that is formed between the source metal layer and the gate metal layer; an interlayer insulating layer (11) that is formed upon the gate metal layer; and a conductive layer (19) that is formed upon the interlayer insulating layer. The patch electrodes are included in the gate metal layer.
(FR) Cette invention concerne substrat de transistors en couches minces (105), comprenant : une région d'émission/réception (R1) qui comprend une pluralité de régions d'unités d'antenne (U) ; et une région de non transmission/réception (R2) qui est disposée en dehors de la région d'émission/réception. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne comprend un transistor en couches minces (10) et une électrode patch (3PE) connectée à une électrode de drain (7D) pour le transistor en couches minces. Le substrat de transistors en couches minces comprend : une couche de métal source (7) qui comprend des électrodes de source (7S), les électrodes de drain et des lignes de bus source (SL) pour les transistors en couches minces ; une couche de métal de grille (3) qui est formée sur la couche de métal source et comprend des électrodes de grille (3G) et des lignes de bus de grille (GL) pour les transistors en couches minces ; une couche d'isolation de grille (4) qui est formée entre la couche de métal source et la couche de métal de grille ; une couche isolante inter-couches (11) qui est formée sur la couche de métal de grille ; et une couche conductrice (19) qui est formée sur la couche isolante inter-couches. Les électrodes patch sont incluses dans la couche de métal de grille.
(JA) TFT基板(105)は、複数のアンテナ単位領域(U)を含む送受信領域(R1)と、送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域(R2)とを備える。複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(3PE)とを有する。TFT基板は、TFTのソース電極(7S)、ドレイン電極、およびソースバスライン(SL)を含むソースメタル層(7)と、ソースメタル層上に形成され、TFTのゲート電極(3G)およびゲートバスライン(GL)を含むゲートメタル層(3)と、ソースメタル層とゲートメタル層との間に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲートメタル層上に形成された層間絶縁層(11)と、層間絶縁層上に形成された導電層(19)とを有する。パッチ電極は、ゲートメタル層に含まれる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)