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1. (WO2018123660) 酸化物半導体TFTを備えた半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/123660    International Application No.:    PCT/JP2017/045127
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Dec 16 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/786
H01L 21/205
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: NAKAJIMA Shinji
中島 伸二
NISHIKI Hirohiko
錦 博彦
TAKEDA Yujiro
武田 悠二郎
MURASHIGE Shogo
村重 正悟
Title: 酸化物半導体TFTを備えた半導体装置
Abstract:
半導体装置は、基板(21)と、基板に支持された酸化物半導体TFT(20)とを備え、酸化物半導体TFT(20)は、In、GaおよびZnを含む酸化物半導体層(27)、ゲート電極(23)、ゲート電極(23)と酸化物半導体層(27)との間に形成されたゲート絶縁層(25)、および、酸化物半導体層(27)と接するソース電極(28)およびドレイン電極(29)を含み、酸化物半導体層(27)は、第1層(31)、第2層(32)、および、第1層と第2層との間に配置された中間遷移層(33)を含む積層構造を有し、第1層(31)は第2層(32)よりもゲート絶縁層側に配置されており、第1層(31)および第2層(32)は異なる組成を有し、中間遷移層(33)は、第1層側から第2層側に向かって連続的に変化する組成を有する。