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1. (WO2018123658) ポリシラン化合物の製造方法、組成物、膜、及び基板
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国際公開番号: WO/2018/123658 国際出願番号: PCT/JP2017/045124
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 15.12.2017
IPC:
C08G 77/60 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,C07B 61/00 (2006.01)
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
60
すべてのけい素原子が酸素原子以外の連結基により結合されているもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
C 化学;冶金
07
有機化学
B
有機化学の一般的方法あるいはそのための装置
61
他の一般的方法
出願人:
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP
発明者:
千坂 博樹 CHISAKA Hiroki; JP
野田 国宏 NODA Kunihiro; JP
塩田 大 SHIOTA Dai; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki; JP
優先権情報:
2016-25700928.12.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYSILANE COMPOUND, COMPOSITION, FILM, AND SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSÉ POLYSILANE, COMPOSITION, FILM ET SUBSTRAT
(JA) ポリシラン化合物の製造方法、組成物、膜、及び基板
要約:
(EN) Provided are a method for producing a polysilane compound having little residual metal (such as Zn, Cu, and Fe), a composition including the polysilane compound, a film, and a substrate. A method for producing a polysilane compound having a mass-average molecular weight of 5000 or less, the method including reacting a halosilane compound in the presence of an organometallic complex represented by general formula (A1) and magnesium. (A1) MpLp/q (In general formula (A1), Mp represents a metal cation of valence p, L represents an organic ligand of valence q, and p and q each independently represent an integer of 1 or higher.)
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un composé polysilane comprenant peu d'un métal résiduel (tel que Zn, Cu et Fe), une composition contenant le composé polysilane, un film et un substrat. Elle porte sur un procédé de production d'un composé polysilane ayant une masse moléculaire moyenne en masse de 5000 ou moins, le procédé comprenant la réaction d'un composé halogénosilane en présence d'un complexe organométallique représenté par la formule générale (A1) et de magnésium. (A1) MpLp/q (Dans la formule générale (A1), Mp représente un cation métallique de valence p, L représente un ligand organique de valence q, et p et q représentent chacun d'une manière indépendante un entier valant 1 ou plus).
(JA) 残存金属(例えば、Zn、Cu、Fe)が少ないポリシラン化合物の製造方法、該ポリシラン化合物を含む組成物、膜及び基板を提供すること。 下記一般式(A1)で表される有機金属錯体及びマグネシウムの存在下においてハロシラン化合物を反応させることを含む質量平均分子量5000以下のポリシラン化合物の製造方法。 Mp/q (A1) (上記一般式(A1)中、Mは、p価の金属カチオンを表し、Lはq価の有機配位子を表し、p及びqは各々独立に1以上の整数を表す。)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)