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1. (WO2018123652) 炭化珪素単結晶の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/123652    International Application No.:    PCT/JP2017/045090
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Dec 16 00:59:59 CET 2017
IPC: C30B 29/36
C30B 23/06
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
Inventors: FUJIKAWA Yohei
藤川 陽平
TAKABA Hidetaka
鷹羽 秀隆
Title: 炭化珪素単結晶の製造方法
Abstract:
本発明の炭化珪素単結晶の製造方法は、ガイド部材を用いて前記炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記炭化珪素種結晶上に成長する炭化珪素単結晶の側面と前記ガイド部材の内側面及び該ガイド部材の内側面に堆積した結晶との隙間が閉塞されないように炭化珪素単結晶を成長させる単結晶成長工程と、温度を低下させて結晶成長を終了させる結晶成長終了工程を有し前記単結晶成長工程と前記結晶成長終了工程の間に、前記隙間の入口近傍の原料ガスの内Si2Cの分圧Pinと前記隙間の出口近傍の原料ガスの内Si2Cの分圧Poutとの差Pin-Poutを0.18torr以下の状態に維持して前記隙間を拡大させる隙間拡大工程を有する。