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1. (WO2018123652) 炭化珪素単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/123652 国際出願番号: PCT/JP2017/045090
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 15.12.2017
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 23/06 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K.[JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
発明者: FUJIKAWA Yohei; JP
TAKABA Hidetaka; JP
代理人: OIKAWA Shu; JP
ARA Norihiko; JP
KATSUMATA Tomoo; JP
優先権情報:
2016-25117726.12.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN) This method for producing a silicon carbide single crystal is a method for producing a silicon carbide single crystal in which a single crystal of silicon carbide is grown on a silicon carbide seed crystal by using a guide member, the method comprising: a single crystal growth step for growing a silicon carbide single crystal in a manner so as not to close a gap between a side surface of the silicon carbide single crystal growing on the silicon carbide seed crystal, and an inner-side surface of the guide member and a crystal deposited on the inner-side surface of the guide member; a crystal growth termination step for terminating crystal growth by lowering the temperature; and a gap enlargement step, between the single crystal growth step and the crystal growth termination step, for enlarging said gap by maintaining a difference, Pin-Pout, between a partial pressure Pin of Si2C in a material gas in the vicinity of an inlet of said gap and a partial pressure Pout of Si2C in the material gas in the vicinity of an outlet of said gap in a state of less than or equal to 0.18 torr.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production d’un monocristal de carbure de silicium destiné à produire un monocristal de carbure de silicium dans lequel un monocristal de carbure de silicium est cultivé sur un cristal germe de carbure de silicium en utilisant un élément guide, le procédé comprenant : une étape de croissance d’un monocristal pour cultiver un monocristal de carbure de silicium d’une manière permettant de ne pas fermer un espace entre une surface latérale du monocristal de carbure de silicium croissant sur le cristal germe de carbure de silicium, et une surface côté intérieur de l’élément guide et un cristal déposé sur la surface côté intérieur de l’élément guide ; une étape de fin de la croissance du cristal pour achever la croissance du cristal en réduisant la température ; et une étape d’élargissement d’espace, entre l’étape de croissance du monocristal et l’étape de fin de la croissance du cristal, pour élargir ledit espace en maintenant une différence, Pin-Pout, entre une pression partielle Pin de Si2C dans un matériau gazeux à proximité d’un orifice d’entrée dudit espace et une pression partielle Pout de Si2C dans le matériau gazeux à proximité d’un orifice de sortie dudit espace sous un état inférieur ou égal à 0,18 torr.
(JA) 本発明の炭化珪素単結晶の製造方法は、ガイド部材を用いて前記炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記炭化珪素種結晶上に成長する炭化珪素単結晶の側面と前記ガイド部材の内側面及び該ガイド部材の内側面に堆積した結晶との隙間が閉塞されないように炭化珪素単結晶を成長させる単結晶成長工程と、温度を低下させて結晶成長を終了させる結晶成長終了工程を有し前記単結晶成長工程と前記結晶成長終了工程の間に、前記隙間の入口近傍の原料ガスの内SiCの分圧Pinと前記隙間の出口近傍の原料ガスの内SiCの分圧Poutとの差Pin-Poutを0.18torr以下の状態に維持して前記隙間を拡大させる隙間拡大工程を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)