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1. (WO2018123550) ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/123550 国際出願番号: PCT/JP2017/044448
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 11.12.2017
予備審査請求日: 08.06.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,G11B 5/851 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84
記録担体の製造に特に適合する方法または装置
851
スパッタリングにより磁性層を支持体に形成するもの
出願人:
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2,Otemachi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者:
小庄 孝志 KOSHO,Takashi; JP
高見 英生 TAKAMI,Hideo; JP
中村 祐一郎 NAKAMURA,Yuichiro; JP
武智 幹雄 TAKECHI,Mikio; JP
三上 智広 MIKAMI,Tomohiro; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; 東京都港区新橋二丁目6番2号 新橋アイマークビル Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome,Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
2016-25665728.12.2016JP
発明の名称: (EN) GAS FLOW SPUTTERING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET STARTING MATERIAL
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION DE FLUX DE GAZ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MATÉRIAU DE DÉPART DE CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法
要約:
(EN) Provided is a gas flow sputtering device suited to the long-term and stable production of a sputtering target starting material at a high sputtering rate. A gas flow sputtering device equipped with a pair of plate-shaped targets positioned in a manner such that the sputtering surfaces face one another with an interval interposed therebetween inside a sputtering chamber, a pair of cooling devices for cooling the plate-shaped targets, and a conductive securing member for securing the plate-shaped targets to the cooling devices, wherein: the pair of plate-shaped targets have attachment parts that project from the lateral surfaces thereof, and the pair of plate-shaped targets are secured to the cooling devices while satisfying a positional relationship in which the attachment parts are sandwiched between the securing member and the cooling devices; and the securing member is covered by an insulative shield member that does not contact the pair of plate-shaped targets.
(FR) L'invention concerne un dispositif de pulvérisation de flux de gaz approprié pour la production à long terme et stable d'un matériau de départ de cible de pulvérisation à une vitesse de pulvérisation élevée. L'invention concerne un dispositif de pulvérisation de flux de gaz équipé d'une paire de cibles en forme de plaque positionnées de telle sorte que les surfaces de pulvérisation se font face avec un intervalle interposé entre celles-ci à l'intérieur d'une chambre de pulvérisation, d'une paire de dispositifs de refroidissement pour refroidir les cibles en forme de plaque, et d'un élément de fixation conducteur pour fixer les cibles en forme de plaque aux dispositifs de refroidissement, la paire de cibles en forme de plaque possédant des parties d'attachement qui font saillie à partir des surfaces latérales de celles-ci, et la paire de cibles en forme de plaque étant fixée aux dispositifs de refroidissement tout en satisfaisant une relation de position dans laquelle les parties d'attachement sont intercalées entre l'élément de fixation et les dispositifs de refroidissement ; et l'élément de fixation est recouvert par un élément de blindage isolant qui n'entre pas en contact avec la paire de cibles en forme de plaque.
(JA) スパッタリングターゲット原料を長時間安定して高スパッタレートで製造するのに適したガスフロースパッタリング装置を提供する。スパッタリングチャンバー内に間隔を置いて互いのスパッタ面が対向するように配置された一対の平板ターゲットと、各平板ターゲットを冷却するための一対の冷却装置と、各平板ターゲットを冷却装置に固定するための導電性固定部材とを備えたガスフロースパッタリング装置であって、前記一対の平板ターゲットはそれぞれの側面から延出した取付部位を有しており、前記取付部位が前記固定部材と前記冷却装置によって挟まれた位置関係で前記一対の平板ターゲットがそれぞれ冷却装置に固定されており、前記固定部材は前記一対の平板ターゲットとは接触しない絶縁性シールド部材によって被覆されている、ガスフロースパッタリング装置。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)