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1. (WO2018123534) p型SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/123534    International Application No.:    PCT/JP2017/044335
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Dec 12 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/205
C23C 16/42
C30B 25/16
C30B 29/36
H01L 21/20
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
Inventors: ISHIBASHI Naoto
石橋 直人
FUKADA Keisuke
深田 啓介
BANDOH Akira
坂東 章
Title: p型SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
Abstract:
原料ガスにおけるC元素とSi元素との比率である投入原料C/Si比を設定する工程と、前記原料ガスと、分子内にClを含むCl系ガスと、分子内にAlとCとを含むドーパントガスと、が存在する成膜雰囲気下で基板上にp型のSiCエピタキシャル膜を成膜して、Alのドーパント濃度が1×1018cm-3以上であるp型SiCエピタキシャルウェハを得る工程を有し、前記投入原料C/Si比は、前記ドーパントガスに含まれるC元素を含む成膜雰囲気におけるC元素とSi元素の比率である全ガスC/Si比を基に設定し、前記投入原料C/Si比と前記全ガスC/Si比が異なり、前記投入原料C/Si比が0.8以下である、p型SiCエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。