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1. (WO2018123506) SiCウェハの欠陥測定方法、標準サンプル及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/123506 国際出願番号: PCT/JP2017/044093
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 07.12.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
発明者:
亀井 宏二 KAMEI Koji; JP
代理人:
及川 周 OIKAWA Shu; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
勝俣 智夫 KATSUMATA Tomoo; JP
優先権情報:
2016-25562828.12.2016JP
発明の名称: (EN) SiC WAFER DEFECT MEASURING METHOD, REFERENCE SAMPLE, AND METHOD OF MANUFACTURING SiC EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE DÉFAUT DE TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM, ÉCHANTILLON DE RÉFÉRENCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIÉE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) SiCウェハの欠陥測定方法、標準サンプル及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法
要約:
(EN) This SiC wafer defect measuring method has a device management step for managing a defect measuring device by: irradiating a reference sample which is made of a material having a light-emitting intensity that does not change with repeated irradiation by excitation light and which has a pattern made of recesses and/or protrusions in the surface thereof, such irradiation performed with the excitation light, prior to measuring defects of a SiC wafer, and under irradiation conditions identical to those during measuring of the SiC wafer; and measuring the S/N ratio of the pattern from the reflection image of the pattern.
(FR) Cette invention concerne un procédé de mesure de défaut de tranche de SiC, comprenant une étape de gestion de dispositif consistant à gérer un dispositif de mesure de défaut par : l'irradiation d'un échantillon de référence qui est constitué d'un matériau ayant une intensité d'émission de lumière qui ne change pas sous l'effet d'une irradiation répétée par une lumière d'excitation et qui comporte un motif constitué d'évidements et/ou de saillies dans sa surface, une telle irradiation étant réalisée avec la lumière d'excitation, avant la mesure de défauts d'une tranche de SiC, et dans des conditions d'irradiation identiques à celles pendant la mesure de la tranche de SiC; et la mesure du rapport signal sur bruit du motif à partir de l'image de réflexion du motif.
(JA) 本発明のSiCウェハの欠陥測定方法は、励起光による繰り返し照射によって発光強度が変化しない材料からなり、かつ、表面に凹部及び/又は凸部で構成されたパターンを有する標準サンプルに対して、SiCウェハの欠陥の測定前にその測定時と同じ照射条件で前記励起光を照射し、前記パターンの反射像から前記パターンのS/N比を計測することによって欠陥測定装置の装置管理を行う装置管理工程を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)