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1. (WO2018123500) 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/123500 国際出願番号: PCT/JP2017/043990
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 07.12.2017
予備審査請求日: 28.08.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,G11B 5/851 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84
記録担体の製造に特に適合する方法または装置
851
スパッタリングにより磁性層を支持体に形成するもの
出願人:
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者:
古谷 祐樹 FURUYA Yuki; JP
代理人:
小越 一輝 OGOSHI Kazuteru; JP
小越 勇 OGOSHI Isamu; JP
若土 雅之 WAKATSUCHI Masayuki; JP
優先権情報:
2016-25559728.12.2016JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION DE MATÉRIAU MAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE CIBLE
(JA) 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
要約:
(EN) A magnetic material sputtering target including an oxide having a melting point of 500°C or lower, the magnetic material sputtering target being characterized in that the average number density of oxides having a particle diameter of 10 µm or greater in a sputtering surface of the sputtering target is 5/mm2 or lower. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target and a method for manufacturing the same, whereby the generation of particles or abnormal electric discharge caused by oxides in the sputtering target, particularly coarsely grown oxides, can be reduced.
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation de matériau magnétique comprenant un oxyde à point de fusion inférieur ou égal à 500 °C, la cible de pulvérisation de matériau magnétique étant caractérisée en ce que la densité de nombre moyen d'oxydes à diamètre de particule supérieur ou égal à 10 µm dans une surface de pulvérisation de la cible de pulvérisation est inférieure ou égale à 5/mm2. La présente invention porte sur une cible de pulvérisation et un procédé de production de ladite cible, permettant de réduire la génération de particules ou d'une décharge électrique anormale provoquée par des oxydes dans la cible de pulvérisation, en particulier des oxydes cultivés grossièrement.
(JA) 融点が500℃以下の酸化物を含む、磁性材スパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのスパッタ面において、粒径が10μm以上である酸化物の平均個数密度が5個/mm以下であることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。本発明は、スパッタリングターゲット中の酸化物、特に粗大に成長した酸化物に起因する異常放電やパーティクルの発生を効果的に低減することができるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)